Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

  • Дома
  •  
  • Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)
EP3SL340F1760I4LN
Intel

EP3SL340F1760I4LN

Дел Акција: 87

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4S100G4F45I1
Intel

EP4S100G4F45I1

Дел Акција: 38

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 781, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP4SE820H35C3
Intel

EP4SE820H35C3

Дел Акција: 78

Број на лаборатории / CLB: 32522, Број на логички елементи / ќелии: 813050, Вкупни битови за RAM меморија: 34093056, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SL340H1152C4
Intel

EP3SL340H1152C4

Дел Акција: 7

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SE820F43C3
Intel

EP4SE820F43C3

Дел Акција: 20

Број на лаборатории / CLB: 32522, Број на логички елементи / ќелии: 813050, Вкупни битови за RAM меморија: 34093056, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SE530H40C2
Intel

EP4SE530H40C2

Дел Акција: 50

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX360KF40C2
Intel

EP4SGX360KF40C2

Дел Акција: 100

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX360NF45I4N
Intel

EP4SGX360NF45I4N

Дел Акција: 19

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 920, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SE820F43I4N
Intel

EP4SE820F43I4N

Дел Акција: 33

Број на лаборатории / CLB: 32522, Број на логички елементи / ќелии: 813050, Вкупни битови за RAM меморија: 34093056, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX360NF45I3N
Intel

EP4SGX360NF45I3N

Дел Акција: 44

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 920, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SE530H40I3
Intel

EP4SE530H40I3

Дел Акција: 100

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4S100G4F45I1N
Intel

EP4S100G4F45I1N

Дел Акција: 82

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 781, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP3SE260F1517C3N
Intel

EP3SE260F1517C3N

Дел Акција: 30

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SE820H35C4
Intel

EP4SE820H35C4

Дел Акција: 11

Број на лаборатории / CLB: 32522, Број на логички елементи / ќелии: 813050, Вкупни битови за RAM меморија: 34093056, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX530NF45I3N
Intel

EP4SGX530NF45I3N

Дел Акција: 91

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 920, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SE260F1517I4
Intel

EP3SE260F1517I4

Дел Акција: 78

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4S100G4F45I3
Intel

EP4S100G4F45I3

Дел Акција: 104

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 781, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP3SL340F1760I4N
Intel

EP3SL340F1760I4N

Дел Акција: 61

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX360NF45I4
Intel

EP4SGX360NF45I4

Дел Акција: 40

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 920, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX360KF40C2N
Intel

EP4SGX360KF40C2N

Дел Акција: 54

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SL340H1152C4N
Intel

EP3SL340H1152C4N

Дел Акција: 27

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX290NF45C2N
Intel

EP4SGX290NF45C2N

Дел Акција: 37

Број на лаборатории / CLB: 11648, Број на логички елементи / ќелии: 291200, Вкупни битови за RAM меморија: 17661952, Број на I / O: 920, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SE260H780I4N
Intel

EP3SE260H780I4N

Дел Акција: 20

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 488, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SL340F1517I3N
Intel

EP3SL340F1517I3N

Дел Акција: 50

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4S100G3F45I2N
Intel

EP4S100G3F45I2N

Дел Акција: 50

Број на лаборатории / CLB: 11648, Број на логички елементи / ќелии: 291200, Вкупни битови за RAM меморија: 17661952, Број на I / O: 781, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP3SE260F1517I3
Intel

EP3SE260F1517I3

Дел Акција: 25

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX530HH35I3
Intel

EP4SGX530HH35I3

Дел Акција: 19

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 564, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SL340F1760I4
Intel

EP3SL340F1760I4

Дел Акција: 23

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SL340F1517C3N
Intel

EP3SL340F1517C3N

Дел Акција: 16

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP2S180F1508I4N
Intel

EP2S180F1508I4N

Дел Акција: 42

Број на лаборатории / CLB: 8970, Број на логички елементи / ќелии: 179400, Вкупни битови за RAM меморија: 9383040, Број на I / O: 1170, Напон - Набавка: 1.15V ~ 1.25V,

Листа на желби.
EP3SL340F1760I4L
Intel

EP3SL340F1760I4L

Дел Акција: 53

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SE820F43C3N
Intel

EP4SE820F43C3N

Дел Акција: 23

Број на лаборатории / CLB: 32522, Број на логички елементи / ќелии: 813050, Вкупни битови за RAM меморија: 34093056, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SE820H40C3
Intel

EP4SE820H40C3

Дел Акција: 18

Број на лаборатории / CLB: 32522, Број на логички елементи / ќелии: 813050, Вкупни битови за RAM меморија: 34093056, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SE530H40C3
Intel

EP4SE530H40C3

Дел Акција: 39

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SE260H780C2
Intel

EP3SE260H780C2

Дел Акција: 11

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 488, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4S100G5H40I3N
Intel

EP4S100G5H40I3N

Дел Акција: 22

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 654, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.