Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

EP4S100G5H40I1

EP4S100G5H40I1

Дел Акција: 46

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 654, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP3SE260H780I3N

EP3SE260H780I3N

Дел Акција: 18

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 488, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SE260H780C3

EP3SE260H780C3

Дел Акција: 42

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 488, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SE260F1517C4LN

EP3SE260F1517C4LN

Дел Акција: 64

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP2S180F1020C4N

EP2S180F1020C4N

Дел Акција: 70

Број на лаборатории / CLB: 8970, Број на логички елементи / ќелии: 179400, Вкупни битови за RAM меморија: 9383040, Број на I / O: 742, Напон - Набавка: 1.15V ~ 1.25V,

Листа на желби.
EP3SE260H780C4LN

EP3SE260H780C4LN

Дел Акција: 94

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 488, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SL340H1152I4LN

EP3SL340H1152I4LN

Дел Акција: 96

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX360NF45I3

EP4SGX360NF45I3

Дел Акција: 30

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 920, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX530HH35C2

EP4SGX530HH35C2

Дел Акција: 14

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 564, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SE530H40C2N

EP4SE530H40C2N

Дел Акција: 26

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SE820H35I3

EP4SE820H35I3

Дел Акција: 78

Број на лаборатории / CLB: 32522, Број на логички елементи / ќелии: 813050, Вкупни битови за RAM меморија: 34093056, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SE260F1152C4

EP3SE260F1152C4

Дел Акција: 14

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX360FH29C2XN

EP4SGX360FH29C2XN

Дел Акција: 68

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 289, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX360FF35I3

EP4SGX360FF35I3

Дел Акција: 21

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 564, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SE530H35C2

EP4SE530H35C2

Дел Акција: 97

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SE820H40I4N

EP4SE820H40I4N

Дел Акција: 70

Број на лаборатории / CLB: 32522, Број на логички елементи / ќелии: 813050, Вкупни битови за RAM меморија: 34093056, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX360KF43C2N

EP4SGX360KF43C2N

Дел Акција: 74

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 880, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4S100G3F45I3N

EP4S100G3F45I3N

Дел Акција: 31

Број на лаборатории / CLB: 11648, Број на логички елементи / ќелии: 291200, Вкупни битови за RAM меморија: 17661952, Број на I / O: 781, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP4SE530H35I3

EP4SE530H35I3

Дел Акција: 23

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX530KH40C2

EP4SGX530KH40C2

Дел Акција: 78

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4S40G2F40I2N

EP4S40G2F40I2N

Дел Акција: 37

Број на лаборатории / CLB: 9120, Број на логички елементи / ќелии: 228000, Вкупни битови за RAM меморија: 17544192, Број на I / O: 654, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP4SGX290KF40C2

EP4SGX290KF40C2

Дел Акција: 67

Број на лаборатории / CLB: 11648, Број на логички елементи / ќелии: 291200, Вкупни битови за RAM меморија: 17661952, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP2S180F1020C3

EP2S180F1020C3

Дел Акција: 94

Број на лаборатории / CLB: 8970, Број на логички елементи / ќелии: 179400, Вкупни битови за RAM меморија: 9383040, Број на I / O: 742, Напон - Набавка: 1.15V ~ 1.25V,

Листа на желби.
EP4SE820F43I3N

EP4SE820F43I3N

Дел Акција: 52

Број на лаборатории / CLB: 32522, Број на логички елементи / ќелии: 813050, Вкупни битови за RAM меморија: 34093056, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SL340F1760C4LN

EP3SL340F1760C4LN

Дел Акција: 17

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SL340H1152I3

EP3SL340H1152I3

Дел Акција: 63

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SL340H1152C4L

EP3SL340H1152C4L

Дел Акција: 71

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4S100G5F45I2N

EP4S100G5F45I2N

Дел Акција: 60

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 781, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP4SGX290KF43C3

EP4SGX290KF43C3

Дел Акција: 46

Број на лаборатории / CLB: 11648, Број на логички елементи / ќелии: 291200, Вкупни битови за RAM меморија: 17661952, Број на I / O: 880, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX290KF43I3N

EP4SGX290KF43I3N

Дел Акција: 80

Број на лаборатории / CLB: 11648, Број на логички елементи / ќелии: 291200, Вкупни битови за RAM меморија: 17661952, Број на I / O: 880, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SL340F1517C4N

EP3SL340F1517C4N

Дел Акција: 70

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX530KF43C3

EP4SGX530KF43C3

Дел Акција: 83

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 880, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SL340F1517I4

EP3SL340F1517I4

Дел Акција: 85

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SL340F1517C4LN

EP3SL340F1517C4LN

Дел Акција: 92

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SL340F1517I3

EP3SL340F1517I3

Дел Акција: 21

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SE820H35I3N

EP4SE820H35I3N

Дел Акција: 99

Број на лаборатории / CLB: 32522, Број на логички елементи / ќелии: 813050, Вкупни битови за RAM меморија: 34093056, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.