Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

EP4SE820F43C4N

EP4SE820F43C4N

Дел Акција: 23

Број на лаборатории / CLB: 32522, Број на логички елементи / ќелии: 813050, Вкупни битови за RAM меморија: 34093056, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4S100G3F45I1N

EP4S100G3F45I1N

Дел Акција: 20

Број на лаборатории / CLB: 11648, Број на логички елементи / ќелии: 291200, Вкупни битови за RAM меморија: 17661952, Број на I / O: 781, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP4SGX530KH40I3

EP4SGX530KH40I3

Дел Акција: 20

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SE530F43I3

EP4SE530F43I3

Дел Акција: 77

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SE260F1517I4LN

EP3SE260F1517I4LN

Дел Акција: 35

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX360NF45C2N

EP4SGX360NF45C2N

Дел Акција: 65

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 920, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX360KF43C2

EP4SGX360KF43C2

Дел Акција: 12

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 880, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SE260F1517I3N

EP3SE260F1517I3N

Дел Акција: 46

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SE260F1517I4N

EP3SE260F1517I4N

Дел Акција: 98

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SE260F1152I4N

EP3SE260F1152I4N

Дел Акција: 26

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4S100G5F45I3N

EP4S100G5F45I3N

Дел Акција: 99

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 781, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP4SE820H40I4

EP4SE820H40I4

Дел Акција: 87

Број на лаборатории / CLB: 32522, Број на логички елементи / ќелии: 813050, Вкупни битови за RAM меморија: 34093056, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP2S180F1020C4

EP2S180F1020C4

Дел Акција: 66

Број на лаборатории / CLB: 8970, Број на логички елементи / ќелии: 179400, Вкупни битови за RAM меморија: 9383040, Број на I / O: 742, Напон - Набавка: 1.15V ~ 1.25V,

Листа на желби.
EP4S40G2F40I1N

EP4S40G2F40I1N

Дел Акција: 47

Број на лаборатории / CLB: 9120, Број на логички елементи / ќелии: 228000, Вкупни битови за RAM меморија: 17544192, Број на I / O: 654, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP4S100G3F45I3

EP4S100G3F45I3

Дел Акција: 63

Број на лаборатории / CLB: 11648, Број на логички елементи / ќелии: 291200, Вкупни битови за RAM меморија: 17661952, Број на I / O: 781, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP4SGX290KF40I3

EP4SGX290KF40I3

Дел Акција: 72

Број на лаборатории / CLB: 11648, Број на логички елементи / ќелии: 291200, Вкупни битови за RAM меморија: 17661952, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4S100G2F40I2N

EP4S100G2F40I2N

Дел Акција: 22

Број на лаборатории / CLB: 9120, Број на логички елементи / ќелии: 228000, Вкупни битови за RAM меморија: 17544192, Број на I / O: 654, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP3SL340F1760C4N

EP3SL340F1760C4N

Дел Акција: 33

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SL340F1760C3N

EP3SL340F1760C3N

Дел Акција: 88

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4S40G5H40I2

EP4S40G5H40I2

Дел Акција: 22

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 654, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP4S40G2F40I2

EP4S40G2F40I2

Дел Акција: 104

Број на лаборатории / CLB: 9120, Број на логички елементи / ќелии: 228000, Вкупни битови за RAM меморија: 17544192, Број на I / O: 654, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP4SE530F43C2

EP4SE530F43C2

Дел Акција: 40

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX530KF43I3

EP4SGX530KF43I3

Дел Акција: 91

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 880, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX360KF43I3

EP4SGX360KF43I3

Дел Акција: 87

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 880, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX530KF43C2N

EP4SGX530KF43C2N

Дел Акција: 54

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 880, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SE260F1517I4L

EP3SE260F1517I4L

Дел Акција: 55

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SE820H35I4

EP4SE820H35I4

Дел Акција: 39

Број на лаборатории / CLB: 32522, Број на логички елементи / ќелии: 813050, Вкупни битови за RAM меморија: 34093056, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX290NF45I3N

EP4SGX290NF45I3N

Дел Акција: 82

Број на лаборатории / CLB: 11648, Број на логички елементи / ќелии: 291200, Вкупни битови за RAM меморија: 17661952, Број на I / O: 920, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SL340H1152I4N

EP3SL340H1152I4N

Дел Акција: 97

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SL340H1152C2

EP3SL340H1152C2

Дел Акција: 45

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX530KH40I3N

EP4SGX530KH40I3N

Дел Акција: 51

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SL340H1152C4LN

EP3SL340H1152C4LN

Дел Акција: 43

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX530HH35C2N

EP4SGX530HH35C2N

Дел Акција: 89

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 564, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SL340F1517C4

EP3SL340F1517C4

Дел Акција: 13

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SE230F29I4N

EP4SE230F29I4N

Дел Акција: 64

Број на лаборатории / CLB: 9120, Број на логички елементи / ќелии: 228000, Вкупни битови за RAM меморија: 17544192, Број на I / O: 488, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX290FH29C3

EP4SGX290FH29C3

Дел Акција: 45

Број на лаборатории / CLB: 11648, Број на логички елементи / ќелии: 291200, Вкупни битови за RAM меморија: 17661952, Број на I / O: 289, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.