Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

EP4SGX360FF35C2X

EP4SGX360FF35C2X

Дел Акција: 28

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 564, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4S100G5H40I1N

EP4S100G5H40I1N

Дел Акција: 8

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 654, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP4S100G2F40I2

EP4S100G2F40I2

Дел Акција: 41

Број на лаборатории / CLB: 9120, Број на логички елементи / ќелии: 228000, Вкупни битови за RAM меморија: 17544192, Број на I / O: 654, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP4SGX530KH40C3

EP4SGX530KH40C3

Дел Акција: 80

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4S100G4F45I3N

EP4S100G4F45I3N

Дел Акција: 103

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 781, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP3SE260F1152I4L

EP3SE260F1152I4L

Дел Акција: 83

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SE260H780C4L

EP3SE260H780C4L

Дел Акција: 27

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 488, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SL340F1517C2N

EP3SL340F1517C2N

Дел Акција: 88

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SE260F1152I3N

EP3SE260F1152I3N

Дел Акција: 41

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4S100G5F45I1

EP4S100G5F45I1

Дел Акција: 49

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 781, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP4S100G5H40I3

EP4S100G5H40I3

Дел Акција: 65

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 654, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP3SL340F1760C2N

EP3SL340F1760C2N

Дел Акција: 30

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX290KF43C2

EP4SGX290KF43C2

Дел Акција: 20

Број на лаборатории / CLB: 11648, Број на логички елементи / ќелии: 291200, Вкупни битови за RAM меморија: 17661952, Број на I / O: 880, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SL340H1152C3

EP3SL340H1152C3

Дел Акција: 19

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SL340F1760C2

EP3SL340F1760C2

Дел Акција: 33

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SL340F1517C2

EP3SL340F1517C2

Дел Акција: 55

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX360NF45C2

EP4SGX360NF45C2

Дел Акција: 85

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 920, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP2S180F1020I4

EP2S180F1020I4

Дел Акција: 67

Број на лаборатории / CLB: 8970, Број на логички елементи / ќелии: 179400, Вкупни битови за RAM меморија: 9383040, Број на I / O: 742, Напон - Набавка: 1.15V ~ 1.25V,

Листа на желби.
EP3SE260F1152C3N

EP3SE260F1152C3N

Дел Акција: 19

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4S100G5F45I1N

EP4S100G5F45I1N

Дел Акција: 59

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 781, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP3SE260F1517C2

EP3SE260F1517C2

Дел Акција: 29

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4S100G5F45I3

EP4S100G5F45I3

Дел Акција: 12

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 781, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP3SE260F1517C3

EP3SE260F1517C3

Дел Акција: 80

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SL340F1760C4

EP3SL340F1760C4

Дел Акција: 33

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SE260F1152I4LN

EP3SE260F1152I4LN

Дел Акција: 77

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SE260F1152C4LN

EP3SE260F1152C4LN

Дел Акција: 48

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX530KF43C2

EP4SGX530KF43C2

Дел Акција: 73

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 880, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4S100G4F45I2N

EP4S100G4F45I2N

Дел Акција: 30

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 781, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP4SGX290KF43I3

EP4SGX290KF43I3

Дел Акција: 10

Број на лаборатории / CLB: 11648, Број на логички елементи / ќелии: 291200, Вкупни битови за RAM меморија: 17661952, Број на I / O: 880, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SE260H780I4

EP3SE260H780I4

Дел Акција: 100

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 488, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX530KH40C2N

EP4SGX530KH40C2N

Дел Акција: 18

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP2S180F1508C3N

EP2S180F1508C3N

Дел Акција: 38

Број на лаборатории / CLB: 8970, Број на логички елементи / ќелии: 179400, Вкупни битови за RAM меморија: 9383040, Број на I / O: 1170, Напон - Набавка: 1.15V ~ 1.25V,

Листа на желби.
EP4S100G2F40I1

EP4S100G2F40I1

Дел Акција: 44

Број на лаборатории / CLB: 9120, Број на логички елементи / ќелии: 228000, Вкупни битови за RAM меморија: 17544192, Број на I / O: 654, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP3SE260H780I4L

EP3SE260H780I4L

Дел Акција: 66

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 488, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX530KF43I4

EP4SGX530KF43I4

Дел Акција: 74

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 880, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX360KF43I4

EP4SGX360KF43I4

Дел Акција: 102

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 880, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.