Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

EP4SGX530HH35I3N

EP4SGX530HH35I3N

Дел Акција: 102

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 564, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP2S180F1020I4N

EP2S180F1020I4N

Дел Акција: 24

Број на лаборатории / CLB: 8970, Број на логички елементи / ќелии: 179400, Вкупни битови за RAM меморија: 9383040, Број на I / O: 742, Напон - Набавка: 1.15V ~ 1.25V,

Листа на желби.
EP2S180F1508C4N

EP2S180F1508C4N

Дел Акција: 62

Број на лаборатории / CLB: 8970, Број на логички елементи / ќелии: 179400, Вкупни битови за RAM меморија: 9383040, Број на I / O: 1170, Напон - Набавка: 1.15V ~ 1.25V,

Листа на желби.
EP3SE260F1152C2

EP3SE260F1152C2

Дел Акција: 87

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SE260F1517C4

EP3SE260F1517C4

Дел Акција: 78

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX530NF45C3

EP4SGX530NF45C3

Дел Акција: 37

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 920, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX290HF35C2

EP4SGX290HF35C2

Дел Акција: 30

Број на лаборатории / CLB: 11648, Број на логички елементи / ќелии: 291200, Вкупни битови за RAM меморија: 17661952, Број на I / O: 564, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SE820F43I4

EP4SE820F43I4

Дел Акција: 33

Број на лаборатории / CLB: 32522, Број на логички елементи / ќелии: 813050, Вкупни битови за RAM меморија: 34093056, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX360NF45C3

EP4SGX360NF45C3

Дел Акција: 22

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 920, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SE260F1152C3

EP3SE260F1152C3

Дел Акција: 37

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX360FF35C2XN

EP4SGX360FF35C2XN

Дел Акција: 93

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 564, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SL340H1152I4L

EP3SL340H1152I4L

Дел Акција: 99

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SE260F1517C4L

EP3SE260F1517C4L

Дел Акција: 103

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX360HF35C2

EP4SGX360HF35C2

Дел Акција: 85

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 564, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX530KH40I4

EP4SGX530KH40I4

Дел Акција: 64

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SE260H780C3N

EP3SE260H780C3N

Дел Акција: 8

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 488, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SE530F43C2N

EP4SE530F43C2N

Дел Акција: 12

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SE260F1152I4

EP3SE260F1152I4

Дел Акција: 44

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SGX290NF45C2

EP4SGX290NF45C2

Дел Акција: 45

Број на лаборатории / CLB: 11648, Број на логички елементи / ќелии: 291200, Вкупни битови за RAM меморија: 17661952, Број на I / O: 920, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SE260H780C4

EP3SE260H780C4

Дел Акција: 15

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 488, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4S40G5H40I1

EP4S40G5H40I1

Дел Акција: 81

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 654, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP4SGX360KF43I3N

EP4SGX360KF43I3N

Дел Акција: 64

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 880, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX360KF40I3

EP4SGX360KF40I3

Дел Акција: 86

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX530NF45C2

EP4SGX530NF45C2

Дел Акција: 94

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 920, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SE820H40I3N

EP4SE820H40I3N

Дел Акција: 8

Број на лаборатории / CLB: 32522, Број на логички елементи / ќелии: 813050, Вкупни битови за RAM меморија: 34093056, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4S40G5H40I3

EP4S40G5H40I3

Дел Акција: 102

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 654, Напон - Набавка: 0.92V ~ 0.98V,

Листа на желби.
EP3SL340F1517I4LN

EP3SL340F1517I4LN

Дел Акција: 90

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SL340F1760I3

EP3SL340F1760I3

Дел Акција: 69

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SL340H1152I3N

EP3SL340H1152I3N

Дел Акција: 90

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP3SE260H780C2N

EP3SE260H780C2N

Дел Акција: 41

Број на лаборатории / CLB: 10200, Број на логички елементи / ќелии: 255000, Вкупни битови за RAM меморија: 16672768, Број на I / O: 488, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.
EP4SE530F43C3

EP4SE530F43C3

Дел Акција: 30

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX360KF40I3N

EP4SGX360KF40I3N

Дел Акција: 103

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SE530H40I3N

EP4SE530H40I3N

Дел Акција: 64

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 976, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX360KF40C3

EP4SGX360KF40C3

Дел Акција: 14

Број на лаборатории / CLB: 14144, Број на логички елементи / ќелии: 353600, Вкупни битови за RAM меморија: 23105536, Број на I / O: 744, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP4SGX530NF45C2N

EP4SGX530NF45C2N

Дел Акција: 51

Број на лаборатории / CLB: 21248, Број на логички елементи / ќелии: 531200, Вкупни битови за RAM меморија: 28033024, Број на I / O: 920, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Листа на желби.
EP3SL340F1760C3

EP3SL340F1760C3

Дел Акција: 97

Број на лаборатории / CLB: 13500, Број на логички елементи / ќелии: 337500, Вкупни битови за RAM меморија: 18822144, Број на I / O: 1120, Напон - Набавка: 0.86V ~ 1.15V,

Листа на желби.