Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

  • Дома
  •  
  • Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)
LFSCM3GA40EP1-6FCN1152I
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA40EP1-6FCN1152I

Дел Акција: 4422

Број на лаборатории / CLB: 10000, Број на логички елементи / ќелии: 40000, Вкупни битови за RAM меморија: 4075520, Број на I / O: 604, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-9400C-5BG256I

Дел Акција: 5485

Број на лаборатории / CLB: 1175, Број на логички елементи / ќелии: 9400, Вкупни битови за RAM меморија: 442368, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFE3-150EA-7FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-7FN1156ITW

Дел Акција: 2248

Број на лаборатории / CLB: 18625, Број на логички елементи / ќелии: 149000, Вкупни битови за RAM меморија: 7014400, Број на I / O: 586, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-8FN1156ITW

Дел Акција: 2286

Број на лаборатории / CLB: 18625, Број на логички елементи / ќелии: 149000, Вкупни битови за RAM меморија: 7014400, Број на I / O: 586, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC15E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC15E-5F256C

Дел Акција: 2897

Број на логички елементи / ќелии: 15400, Вкупни битови за RAM меморија: 358400, Број на I / O: 195, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-7000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-7000ZE-3TG144C

Дел Акција: 4799

Број на лаборатории / CLB: 858, Број на логички елементи / ќелии: 6864, Вкупни битови за RAM меморија: 245760, Број на I / O: 114, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFE3-70E-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-70E-6FN1156I

Дел Акција: 2377

Број на лаборатории / CLB: 8375, Број на логички елементи / ќелии: 67000, Вкупни битови за RAM меморија: 4526080, Број на I / O: 490, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFSCM3GA115EP1-5FCN1704I
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA115EP1-5FCN1704I

Дел Акција: 4299

Број на лаборатории / CLB: 28750, Број на логички елементи / ќелии: 115000, Вкупни битови за RAM меморија: 7987200, Број на I / O: 942, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-1200ZE-2MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200ZE-2MG132CR1

Дел Акција: 1547

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC3E-4Q208I

Дел Акција: 3256

Број на логички елементи / ќелии: 3100, Вкупни битови за RAM меморија: 56320, Број на I / O: 145, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFX1200C-03FE680C
Lattice Semiconductor Corporation

LFX1200C-03FE680C

Дел Акција: 4620

Број на логички елементи / ќелии: 15376, Вкупни битови за RAM меморија: 423936, Број на I / O: 496, Број на Гејтс: 1250000, Напон - Набавка: 1.65V ~ 1.95V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HC-5BG256I

Дел Акција: 5361

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO1200E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200E-5MN132C

Дел Акција: 4969

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 101, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFE3-70E-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-70E-7FN672I

Дел Акција: 2519

Број на лаборатории / CLB: 8375, Број на логички елементи / ќелии: 67000, Вкупни битови за RAM меморија: 4526080, Број на I / O: 380, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HC-6BG256I

Дел Акција: 4792

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFE3-70E-8FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-70E-8FN1156C

Дел Акција: 2280

Број на лаборатории / CLB: 8375, Број на логички елементи / ќелии: 67000, Вкупни битови за RAM меморија: 4526080, Број на I / O: 490, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-9400E-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-9400E-5BG400C

Дел Акција: 67

Број на лаборатории / CLB: 1175, Број на логички елементи / ќелии: 9400, Вкупни битови за RAM меморија: 442368, Број на I / O: 335, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000ZE-2FTG256I

Дел Акција: 5015

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFSC3GA80E-6FC1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA80E-6FC1152C

Дел Акција: 7282

Број на лаборатории / CLB: 20000, Број на логички елементи / ќелии: 80000, Вкупни битови за RAM меморија: 5816320, Број на I / O: 660, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFSCM3GA40EP1-6FF1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA40EP1-6FF1152C

Дел Акција: 2808

Број на лаборатории / CLB: 10000, Број на логички елементи / ќелии: 40000, Вкупни битови за RAM меморија: 4075520, Број на I / O: 604, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFECP10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP10E-4F256I

Дел Акција: 3503

Број на логички елементи / ќелии: 10200, Вкупни битови за RAM меморија: 282624, Број на I / O: 195, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-7000ZE-1TG144C

Дел Акција: 5041

Број на лаборатории / CLB: 858, Број на логички елементи / ќелии: 6864, Вкупни битови за RAM меморија: 245760, Број на I / O: 114, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFE5UM-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE5UM-25F-6BG381I

Дел Акција: 5272

Број на лаборатории / CLB: 6000, Број на логички елементи / ќелии: 24000, Вкупни битови за RAM меморија: 1032192, Број на I / O: 197, Напон - Набавка: 1.045V ~ 1.155V,

Листа на желби.
LFSCM3GA40EP1-6FCN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA40EP1-6FCN1152C

Дел Акција: 4453

Број на лаборатории / CLB: 10000, Број на логички елементи / ќелии: 40000, Вкупни битови за RAM меморија: 4075520, Број на I / O: 604, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO1200C-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200C-5FTN256C

Дел Акција: 5232

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 211, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-7000HE-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-7000HE-5TG144I

Дел Акција: 4778

Број на лаборатории / CLB: 858, Број на логички елементи / ќелии: 6864, Вкупни битови за RAM меморија: 245760, Број на I / O: 114, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFECP33E-4F672C
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP33E-4F672C

Дел Акција: 2089

Број на логички елементи / ќелии: 32800, Вкупни битови за RAM меморија: 434176, Број на I / O: 496, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFECP10E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP10E-4Q208I

Дел Акција: 3540

Број на логички елементи / ќелии: 10200, Вкупни битови за RAM меморија: 282624, Број на I / O: 147, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFSC3GA25E-7FFA1020C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA25E-7FFA1020C

Дел Акција: 2670

Број на лаборатории / CLB: 6250, Број на логички елементи / ќелии: 25000, Вкупни битови за RAM меморија: 1966080, Број на I / O: 476, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC10E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC10E-3F484I

Дел Акција: 2716

Број на логички елементи / ќелии: 10200, Вкупни битови за RAM меморија: 282624, Број на I / O: 288, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HC-5BG256C

Дел Акција: 5828

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFECP10E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP10E-3Q208I

Дел Акција: 6807

Број на логички елементи / ќелии: 10200, Вкупни битови за RAM меморија: 282624, Број на I / O: 147, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFX1200EB-03F900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFX1200EB-03F900C

Дел Акција: 4655

Број на логички елементи / ќелии: 15376, Вкупни битови за RAM меморија: 423936, Број на I / O: 496, Број на Гејтс: 1250000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.
LFE3-95E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-95E-8FN484I

Дел Акција: 2739

Број на лаборатории / CLB: 11500, Број на логички елементи / ќелии: 92000, Вкупни битови за RAM меморија: 4526080, Број на I / O: 295, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC1E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC1E-4T100C

Дел Акција: 2939

Број на логички елементи / ќелии: 1500, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 67, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFX1200EB-03FE680I
Lattice Semiconductor Corporation

LFX1200EB-03FE680I

Дел Акција: 4721

Број на логички елементи / ќелии: 15376, Вкупни битови за RAM меморија: 423936, Број на I / O: 496, Број на Гејтс: 1250000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.