Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

  • Дома
  •  
  • Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)
LFSCM3GA40EP1-6FFN1020I
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA40EP1-6FFN1020I

Дел Акција: 7055

Број на лаборатории / CLB: 10000, Број на логички елементи / ќелии: 40000, Вкупни битови за RAM меморија: 4075520, Број на I / O: 562, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
OR3T556S208I-DB
Lattice Semiconductor Corporation

OR3T556S208I-DB

Дел Акција: 722

Број на логички елементи / ќелии: 2592, Вкупни битови за RAM меморија: 43008, Број на I / O: 171, Број на Гејтс: 80000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V,

Листа на желби.
LCMXO2-1200HC-5MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200HC-5MG132CR1

Дел Акција: 1488

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFX200EB-05F516C
Lattice Semiconductor Corporation

LFX200EB-05F516C

Дел Акција: 4760

Број на логички елементи / ќелии: 2704, Вкупни битови за RAM меморија: 113664, Број на I / O: 208, Број на Гејтс: 210000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.
LCMXO1200E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200E-5BN256C

Дел Акција: 4797

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 211, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HC-6TG100I

Дел Акција: 5370

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 79, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000ZE-2FTG256C

Дел Акција: 5581

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
ICE5LP1K-UWG20ITR
Lattice Semiconductor Corporation

ICE5LP1K-UWG20ITR

Дел Акција: 7834

Број на лаборатории / CLB: 138, Број на логички елементи / ќелии: 1100, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 12, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HE-6BG256C

Дел Акција: 5447

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000HC-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HC-6TG144I

Дел Акција: 4946

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 111, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation

LFXP6C-4Q208C

Дел Акција: 3020

Број на логички елементи / ќелии: 6000, Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 142, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE5UM-25F-8BG381C

Дел Акција: 4776

Број на лаборатории / CLB: 6000, Број на логички елементи / ќелии: 24000, Вкупни битови за RAM меморија: 1032192, Број на I / O: 197, Напон - Набавка: 1.045V ~ 1.155V,

Листа на желби.
LFSCM3GA80EP1-5FCN1704C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA80EP1-5FCN1704C

Дел Акција: 4531

Број на лаборатории / CLB: 20000, Број на логички елементи / ќелии: 80000, Вкупни битови за RAM меморија: 5816320, Број на I / O: 904, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFE2M100E-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6F1152I

Дел Акција: 2485

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 520, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFSC3GA80E-5FCN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA80E-5FCN1152C

Дел Акција: 4256

Број на лаборатории / CLB: 20000, Број на логички елементи / ќелии: 80000, Вкупни битови за RAM меморија: 5816320, Број на I / O: 660, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HC-6FTG256C

Дел Акција: 5046

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000HC-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HC-4BG256C

Дел Акција: 4969

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFSCM3GA80EP1-6FC1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA80EP1-6FC1152C

Дел Акција: 7247

Број на лаборатории / CLB: 20000, Број на логички елементи / ќелии: 80000, Вкупни битови за RAM меморија: 5816320, Број на I / O: 660, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFE3-95E-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-95E-7FN672I

Дел Акција: 2671

Број на лаборатории / CLB: 11500, Број на логички елементи / ќелии: 92000, Вкупни битови за RAM меморија: 4526080, Број на I / O: 380, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFECP6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP6E-5F484C

Дел Акција: 3919

Број на логички елементи / ќелии: 6100, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 224, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200C-5BN256C

Дел Акција: 4796

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 211, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFE2M35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M35SE-7F484C

Дел Акција: 2501

Број на лаборатории / CLB: 4250, Број на логички елементи / ќелии: 34000, Вкупни битови за RAM меморија: 2151424, Број на I / O: 303, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFECP10E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP10E-5F484C

Дел Акција: 3542

Број на логички елементи / ќелии: 10200, Вкупни битови за RAM меморија: 282624, Број на I / O: 288, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFECP6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP6E-3F256C

Дел Акција: 6902

Број на логички елементи / ќелии: 6100, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 195, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3L-9400E-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-9400E-6BG400I

Дел Акција: 57

Број на лаборатории / CLB: 1175, Број на логички елементи / ќелии: 9400, Вкупни битови за RAM меморија: 442368, Број на I / O: 335, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HE-6TG144I

Дел Акција: 5592

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 114, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFSCM3GA25EP1-5FFN1020C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-5FFN1020C

Дел Акција: 4310

Број на лаборатории / CLB: 6250, Број на логички елементи / ќелии: 25000, Вкупни битови за RAM меморија: 1966080, Број на I / O: 476, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFE2-20E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-20E-6F672I

Дел Акција: 2345

Број на лаборатории / CLB: 2625, Број на логички елементи / ќелии: 21000, Вкупни битови за RAM меморија: 282624, Број на I / O: 402, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation

ICE40LP384-CM81TR

Дел Акција: 7339

Број на лаборатории / CLB: 48, Број на логички елементи / ќелии: 384, Број на I / O: 55, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFSCM3GA15EP1-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA15EP1-5F256I

Дел Акција: 2692

Број на лаборатории / CLB: 3750, Број на логички елементи / ќелии: 15000, Вкупни битови за RAM меморија: 1054720, Број на I / O: 139, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-2100C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-2100C-5BG324I

Дел Акција: 5582

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 279, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFEC20E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC20E-4F484I

Дел Акција: 2344

Број на логички елементи / ќелии: 19700, Вкупни битови за RAM меморија: 434176, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFE5U-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE5U-25F-8BG381C

Дел Акција: 5385

Број на лаборатории / CLB: 6000, Број на логички елементи / ќелии: 24000, Вкупни битови за RAM меморија: 1032192, Број на I / O: 197, Напон - Набавка: 1.045V ~ 1.155V,

Листа на желби.
LFE3-70E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-70E-6FN672C

Дел Акција: 2291

Број на лаборатории / CLB: 8375, Број на логички елементи / ќелии: 67000, Вкупни битови за RAM меморија: 4526080, Број на I / O: 380, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFECP6E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP6E-4F484I

Дел Акција: 3924

Број на логички елементи / ќелии: 6100, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 224, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HC-5BG256I

Дел Акција: 5203

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.