Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

  • Дома
  •  
  • Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)
LCMXO2-2000HE-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HE-5BG256I

Дел Акција: 5423

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
ICE65L04F-LVQ100I
Lattice Semiconductor Corporation

ICE65L04F-LVQ100I

Дел Акција: 1923

Број на лаборатории / CLB: 440, Број на логички елементи / ќелии: 3520, Вкупни битови за RAM меморија: 81920, Број на I / O: 72, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFSCM3GA115EP1-5FCN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA115EP1-5FCN1152C

Дел Акција: 4315

Број на лаборатории / CLB: 28750, Број на логички елементи / ќелии: 115000, Вкупни битови за RAM меморија: 7987200, Број на I / O: 660, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFX1200EB-05FE680C
Lattice Semiconductor Corporation

LFX1200EB-05FE680C

Дел Акција: 4686

Број на логички елементи / ќелии: 15376, Вкупни битови за RAM меморија: 423936, Број на I / O: 496, Број на Гејтс: 1250000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200E-3TN144I

Дел Акција: 5198

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 113, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000ZE-2BG256I

Дел Акција: 5399

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200E-4MN132I

Дел Акција: 4877

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 101, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
ICE65L01F-LVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation

ICE65L01F-LVQ100C

Дел Акција: 1780

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 72, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFSC3GA80E-6FF1704I
Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA80E-6FF1704I

Дел Акција: 2723

Број на лаборатории / CLB: 20000, Број на логички елементи / ќелии: 80000, Вкупни битови за RAM меморија: 5816320, Број на I / O: 904, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFE3-70E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-70E-7FN672C

Дел Акција: 2459

Број на лаборатории / CLB: 8375, Број на логички елементи / ќелии: 67000, Вкупни битови за RAM меморија: 4526080, Број на I / O: 380, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFSCM3GA40EP1-7FFN1020C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA40EP1-7FFN1020C

Дел Акција: 4433

Број на лаборатории / CLB: 10000, Број на логички елементи / ќелии: 40000, Вкупни битови за RAM меморија: 4075520, Број на I / O: 562, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LX128EV-5F208I
Lattice Semiconductor Corporation

LX128EV-5F208I

Дел Акција: 4817

Број на I / O: 128, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-6900C-5BG400C

Дел Акција: 4820

Број на лаборатории / CLB: 858, Број на логички елементи / ќелии: 6864, Вкупни битови за RAM меморија: 245760, Број на I / O: 335, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFECP20E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP20E-4F484C

Дел Акција: 2434

Број на логички елементи / ќелии: 19700, Вкупни битови за RAM меморија: 434176, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-9400C-5BG484C

Дел Акција: 4867

Број на лаборатории / CLB: 1175, Број на логички елементи / ќелии: 9400, Вкупни битови за RAM меморија: 442368, Број на I / O: 384, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HC-5BG256C

Дел Акција: 5513

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
ICE65L01F-TCB121C
Lattice Semiconductor Corporation

ICE65L01F-TCB121C

Дел Акција: 2204

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 92, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFX1200EC-03FE680C
Lattice Semiconductor Corporation

LFX1200EC-03FE680C

Дел Акција: 7031

Број на логички елементи / ќелии: 15376, Вкупни битови за RAM меморија: 423936, Број на I / O: 496, Број на Гејтс: 1250000, Напон - Набавка: 1.65V ~ 1.95V,

Листа на желби.
LFECP20E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP20E-5F672C

Дел Акција: 3719

Број на логички елементи / ќелии: 19700, Вкупни битови за RAM меморија: 434176, Број на I / O: 400, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC33E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC33E-5F484C

Дел Акција: 3080

Број на логички елементи / ќелии: 32800, Вкупни битови за RAM меморија: 434176, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFX1200EB-04FE680I
Lattice Semiconductor Corporation

LFX1200EB-04FE680I

Дел Акција: 4762

Број на логички елементи / ќелии: 15376, Вкупни битови за RAM меморија: 423936, Број на I / O: 496, Број на Гејтс: 1250000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.
ICE65L08F-TCB196C
Lattice Semiconductor Corporation

ICE65L08F-TCB196C

Дел Акција: 2062

Број на лаборатории / CLB: 960, Број на логички елементи / ќелии: 7680, Вкупни битови за RAM меморија: 131072, Број на I / O: 150, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
ICE65L08F-TCB196I
Lattice Semiconductor Corporation

ICE65L08F-TCB196I

Дел Акција: 2068

Број на лаборатории / CLB: 960, Број на логички елементи / ќелии: 7680, Вкупни битови за RAM меморија: 131072, Број на I / O: 150, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFECP15E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP15E-3F484I

Дел Акција: 3662

Број на логички елементи / ќелии: 15400, Вкупни битови за RAM меморија: 358400, Број на I / O: 352, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3L-9400E-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-9400E-5BG256I

Дел Акција: 1599

Број на лаборатории / CLB: 1175, Број на логички елементи / ќелии: 9400, Вкупни битови за RAM меморија: 442368, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200E-4BN256I

Дел Акција: 4732

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 211, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFX1200C-04FE680C
Lattice Semiconductor Corporation

LFX1200C-04FE680C

Дел Акција: 4638

Број на логички елементи / ќелии: 15376, Вкупни битови за RAM меморија: 423936, Број на I / O: 496, Број на Гејтс: 1250000, Напон - Набавка: 1.65V ~ 1.95V,

Листа на желби.
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC33E-5F672C

Дел Акција: 3079

Број на логички елементи / ќелии: 32800, Вкупни битови за RAM меморија: 434176, Број на I / O: 496, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-35SE-7F484C

Дел Акција: 2380

Број на лаборатории / CLB: 4000, Број на логички елементи / ќелии: 32000, Вкупни битови за RAM меморија: 339968, Број на I / O: 331, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation

ICE65L01F-TCB132I

Дел Акција: 1776

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 93, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3L-9400C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-9400C-6BG400C

Дел Акција: 5387

Број на лаборатории / CLB: 1175, Број на логички елементи / ќелии: 9400, Вкупни битови за RAM меморија: 442368, Број на I / O: 335, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFE2-12SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-12SE-5F484I

Дел Акција: 2289

Број на лаборатории / CLB: 1500, Број на логички елементи / ќелии: 12000, Вкупни битови за RAM меморија: 226304, Број на I / O: 297, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO1200E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200E-3TN100I

Дел Акција: 4982

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 73, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFSCM3GA80EP1-6FCN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA80EP1-6FCN1152C

Дел Акција: 4507

Број на лаборатории / CLB: 20000, Број на логички елементи / ќелии: 80000, Вкупни битови за RAM меморија: 5816320, Број на I / O: 660, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
ICE65L04F-LCB132I
Lattice Semiconductor Corporation

ICE65L04F-LCB132I

Дел Акција: 1877

Број на лаборатории / CLB: 440, Број на логички елементи / ќелии: 3520, Вкупни битови за RAM меморија: 81920, Број на I / O: 95, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000ZE-3FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000ZE-3FTG256C

Дел Акција: 5201

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.