Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - IGBTs - Modules

  • Дома
  •  
  • Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ200H120G
Microsemi Corporation

APTGLQ200H120G

Дел Акција: 505

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 350A, Моќност - Макс: 1000W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APTGT600DA60G
Microsemi Corporation

APTGT600DA60G

Дел Акција: 718

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 700A, Моќност - Макс: 2300W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

Листа на желби.
APTGT75DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA60T1G

Дел Акција: 2807

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGL475U120D4G
Microsemi Corporation

APTGL475U120D4G

Дел Акција: 692

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 610A, Моќност - Макс: 2082W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

Листа на желби.
APTGLQ75H65T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ75H65T1G

Дел Акција: 1579

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 650V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT100DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU120TG

Дел Акција: 1313

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual, Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 140A, Моќност - Макс: 480W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Листа на желби.
APTGT50DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU120TG

Дел Акција: 1568

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual, Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 277W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT300A170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A170D3G

Дел Акција: 469

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 530A, Моќност - Макс: 1470W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Листа на желби.
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170G

Дел Акција: 920

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 250A, Моќност - Макс: 890W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGT300SK170G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170G

Дел Акција: 631

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 400A, Моќност - Макс: 1660W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Листа на желби.
APTGT400A120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400A120D3G

Дел Акција: 443

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 580A, Моќност - Макс: 2100W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Листа на желби.
APTGL60DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DDA120T3G

Дел Акција: 1919

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual Boost Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 80A, Моќност - Макс: 280W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT100TL170G
Microsemi Corporation

APTGT100TL170G

Дел Акција: 530

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Three Level Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150A, Моќност - Макс: 560W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Листа на желби.
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200A65T3G

Дел Акција: 255

Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 650V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 200A, Моќност - Макс: 483W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APTGTQ100H65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ100H65T3G

Дел Акција: 237

Конфигурација: Full Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 650V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Листа на желби.
APTGT75X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75X60T3G

Дел Акција: 1419

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Three Phase Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT150A120G
Microsemi Corporation

APTGT150A120G

Дел Акција: 851

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 220A, Моќност - Макс: 690W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGT50H60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T1G

Дел Акција: 2031

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 80A, Моќност - Макс: 176W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation

APTGT225DA170G

Дел Акција: 770

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 340A, Моќност - Макс: 1250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Листа на желби.
APTGT100A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100A60T1G

Дел Акција: 2167

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150A, Моќност - Макс: 340W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Листа на желби.
APTGT225DU170G
Microsemi Corporation

APTGT225DU170G

Дел Акција: 515

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual, Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 340A, Моќност - Макс: 1250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Листа на желби.
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60T3AG

Дел Акција: 1579

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 290A, Моќност - Макс: 750W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation

APTGT200DH120G

Дел Акција: 709

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 280A, Моќност - Макс: 890W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APTGL90DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DDA120T3G

Дел Акција: 1593

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual Boost Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 110A, Моќност - Макс: 385W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ50TA65T3G

Дел Акција: 244

Конфигурација: Three Phase Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 650V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50A, Моќност - Макс: 125W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200SK65T3G

Дел Акција: 292

Конфигурација: Buck Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 650V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 200A, Моќност - Макс: 483W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APTGT450A60G
Microsemi Corporation

APTGT450A60G

Дел Акција: 612

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 550A, Моќност - Макс: 1750W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

Листа на желби.
APTGT50H170TG
Microsemi Corporation

APTGT50H170TG

Дел Акција: 818

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT50H120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50H120T3G

Дел Акција: 1389

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 270W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT75DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DH120T3G

Дел Акција: 1513

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 110A, Моќност - Макс: 357W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APT40GL120JU3
Microsemi Corporation

APT40GL120JU3

Дел Акција: 3651

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 65A, Моќност - Макс: 220W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

Листа на желби.
APTGT200DA120G
Microsemi Corporation

APTGT200DA120G

Дел Акција: 955

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 280A, Моќност - Макс: 890W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APTGLQ30H65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ30H65T3G

Дел Акција: 281

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 650V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 40A, Моќност - Макс: 95W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A,

Листа на желби.
APTGT75H120TG
Microsemi Corporation

APTGT75H120TG

Дел Акција: 963

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 110A, Моќност - Макс: 357W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGLQ25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ25H120T1G

Дел Акција: 271

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50A, Моќност - Макс: 165W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A,

Листа на желби.
APTGT75TA120PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA120PG

Дел Акција: 672

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Three Phase, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 350W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Листа на желби.