Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - IGBTs - Modules

  • Дома
  •  
  • Transistors - IGBTs - Modules
APTGT225A170G
Microsemi Corporation

APTGT225A170G

Дел Акција: 559

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 340A, Моќност - Макс: 1250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Листа на желби.
APTGT450DA60G
Microsemi Corporation

APTGT450DA60G

Дел Акција: 807

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 550A, Моќност - Макс: 1750W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

Листа на желби.
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation

APTGT200DH60G

Дел Акција: 969

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 290A, Моќност - Макс: 625W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APTGT50A170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170T1G

Дел Акција: 1665

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGLQ200H65G
Microsemi Corporation

APTGLQ200H65G

Дел Акција: 235

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 650V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 270A, Моќност - Макс: 680W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APTGT100H170G
Microsemi Corporation

APTGT100H170G

Дел Акција: 545

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150A, Моќност - Макс: 560W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Листа на желби.
APTGT50DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DA120TG

Дел Акција: 1830

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 277W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT100TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGT100TDU60PG

Дел Акција: 882

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Triple, Dual - Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150A, Моќност - Макс: 340W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Листа на желби.
APTGT100DU60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU60TG

Дел Акција: 1678

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual, Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150A, Моќност - Макс: 340W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Листа на желби.
APT85GR120JD60
Microsemi Corporation

APT85GR120JD60

Дел Акција: 1831

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 116A, Моќност - Макс: 543W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A,

Листа на желби.
APT200GN60JDQ4
Microsemi Corporation

APT200GN60JDQ4

Дел Акција: 1985

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 283A, Моќност - Макс: 682W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APT150GN60JDQ4
Microsemi Corporation

APT150GN60JDQ4

Дел Акција: 2056

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 220A, Моќност - Макс: 536W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGFQ25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGFQ25H120T2G

Дел Акција: 1323

Тип на IGBT: NPT and Fieldstop, Конфигурација: Full Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 40A, Моќност - Макс: 227W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Листа на желби.
APTGT200A120G
Microsemi Corporation

APTGT200A120G

Дел Акција: 466

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 280A, Моќност - Макс: 890W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APTGT200DU120G
Microsemi Corporation

APTGT200DU120G

Дел Акција: 608

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual, Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 280A, Моќност - Макс: 890W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APT100GT120JU2
Microsemi Corporation

APT100GT120JU2

Дел Акција: 2200

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 140A, Моќност - Макс: 480W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Листа на желби.
APTCV60TLM45T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM45T3G

Дел Акција: 3094

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Three Level Inverter - IGBT, FET, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APT85GR120J
Microsemi Corporation

APT85GR120J

Дел Акција: 2135

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 116A, Моќност - Макс: 543W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A,

Листа на желби.
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation

APTGT75A1202G

Дел Акција: 548

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 110A, Моќност - Макс: 357W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT30TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30TL60T3G

Дел Акција: 3068

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Three Level Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50A, Моќност - Макс: 90W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Листа на желби.
APT50GF60JCU2
Microsemi Corporation

APT50GF60JCU2

Дел Акција: 598

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 70A, Моќност - Макс: 277W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APT25GF120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GF120JCU2

Дел Акција: 619

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 45A, Моќност - Макс: 227W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Листа на желби.
APT15GF120JCU2
Microsemi Corporation

APT15GF120JCU2

Дел Акција: 601

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 30A, Моќност - Макс: 156W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Листа на желби.
APT75GN120JDQ3
Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3

Дел Акција: 2245

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 124A, Моќност - Макс: 379W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DH120T3G

Дел Акција: 608

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 277W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T2G

Дел Акција: 565

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 80A, Моќност - Макс: 176W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

Дел Акција: 1378

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual Boost Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Листа на желби.
APT40GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

Дел Акција: 1989

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 80A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Листа на желби.
APT25GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

Дел Акција: 2465

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 45A, Моќност - Макс: 170W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

Листа на желби.
APTGT150A1202G
Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

Дел Акција: 620

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 220A, Моќност - Макс: 690W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGT100A602G
Microsemi Corporation

APTGT100A602G

Дел Акција: 595

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150A, Моќност - Макс: 340W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Листа на желби.
APTGT100DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

Дел Акција: 549

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150A, Моќност - Макс: 340W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Листа на желби.
APTGL90SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

Дел Акција: 602

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 110A, Моќност - Макс: 385W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT100A1202G
Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

Дел Акција: 625

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 140A, Моќност - Макс: 480W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Листа на желби.
APTGL60DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

Дел Акција: 542

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual Buck Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 80A, Моќност - Макс: 280W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APT75GP120J
Microsemi Corporation

APT75GP120J

Дел Акција: 1816

Тип на IGBT: PT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 128A, Моќност - Макс: 543W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Листа на желби.