Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - IGBTs - Modules

  • Дома
  •  
  • Transistors - IGBTs - Modules
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

Дел Акција: 546

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Three Phase, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

Дел Акција: 5307

Тип на IGBT: NPT, Trench Field Stop, Конфигурација: Boost Chopper, Full Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150A, Моќност - Макс: 340W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Листа на желби.
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

Дел Акција: 531

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 110A, Моќност - Макс: 357W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

Дел Акција: 541

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 110A, Моќност - Макс: 357W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

Дел Акција: 521

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

Дел Акција: 490

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual Buck Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

Дел Акција: 478

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 110A, Моќност - Макс: 357W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

Дел Акција: 540

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 130A, Моќност - Макс: 465W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

Дел Акција: 464

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 120A, Моќност - Макс: 520W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

Дел Акција: 555

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 110A, Моќност - Макс: 357W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

Дел Акција: 545

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 120A, Моќност - Макс: 520W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

Дел Акција: 548

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 110A, Моќност - Макс: 357W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

Дел Акција: 526

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 110A, Моќност - Макс: 357W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

Дел Акција: 526

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 760A, Моќност - Макс: 1600W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

Листа на желби.
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

Дел Акција: 482

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Three Phase, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 70A, Моќност - Макс: 310W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

Дел Акција: 514

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 70A, Моќност - Макс: 310W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

Дел Акција: 476

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual, Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

Дел Акција: 541

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual Buck Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 80A, Моќност - Макс: 176W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

Дел Акција: 552

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual Buck Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 270W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

Дел Акција: 528

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 80A, Моќност - Макс: 176W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

Дел Акција: 3071

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

Дел Акција: 518

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 70A, Моќност - Макс: 310W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

Дел Акција: 496

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 270W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

Дел Акција: 535

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 70A, Моќност - Макс: 310W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

Дел Акција: 520

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 80A, Моќност - Макс: 176W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

Дел Акција: 494

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 270W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation

APTGT50A120TG

Дел Акција: 483

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 277W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation

APTGT450DU60G

Дел Акција: 517

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual, Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 550A, Моќност - Макс: 1750W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

Листа на желби.
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK60D3G

Дел Акција: 472

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500A, Моќност - Макс: 1250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

Листа на желби.
APTGT400DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400DA120D3G

Дел Акција: 507

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 580A, Моќност - Макс: 2100W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Листа на желби.
APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK120D3G

Дел Акција: 463

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 580A, Моќност - Макс: 2100W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Листа на желби.
APTGT35SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35SK120D1G

Дел Акција: 527

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 55A, Моќност - Макс: 205W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Листа на желби.
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT35H120T1G

Дел Акција: 522

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 55A, Моќност - Макс: 208W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Листа на желби.
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35A120D1G

Дел Акција: 463

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 55A, Моќност - Макс: 205W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Листа на желби.
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35DA120D1G

Дел Акција: 481

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 55A, Моќност - Макс: 205W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Листа на желби.
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170D1G

Дел Акција: 507

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 45A, Моќност - Макс: 210W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Листа на желби.