Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - IGBTs - Modules

  • Дома
  •  
  • Transistors - IGBTs - Modules
APTGF75H120TG
Microsemi Corporation

APTGF75H120TG

Дел Акција: 694

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 500W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGF75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGF75DH120TG

Дел Акција: 460

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 500W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGF75DSK120TG
Microsemi Corporation

APTGF75DSK120TG

Дел Акција: 487

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Dual, Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 500W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGF75DA60D1G
Microsemi Corporation

APTGF75DA60D1G

Дел Акција: 494

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 355W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGF75DDA120TG
Microsemi Corporation

APTGF75DDA120TG

Дел Акција: 505

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Dual, Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 500W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGF660U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF660U60D4G

Дел Акција: 488

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 860A, Моќност - Макс: 2800W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 800A,

Листа на желби.
APTGF75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF75DA120T1G

Дел Акција: 480

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 500W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Листа на желби.
APTGF50X60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50X60T3G

Дел Акција: 504

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Three Phase Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 65A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF530U120D4G
Microsemi Corporation

APTGF530U120D4G

Дел Акција: 478

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 700A, Моќност - Макс: 3900W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 600A,

Листа на желби.
APTGF50TDU120PG
Microsemi Corporation

APTGF50TDU120PG

Дел Акција: 3072

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Triple, Dual - Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF50TA120PG
Microsemi Corporation

APTGF50TA120PG

Дел Акција: 469

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Three Phase, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF50SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGF50SK120T1G

Дел Акција: 439

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF50SK120TG
Microsemi Corporation

APTGF50SK120TG

Дел Акција: 484

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T3G

Дел Акција: 1481

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 65A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF50DU120TG
Microsemi Corporation

APTGF50DU120TG

Дел Акција: 3098

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Dual, Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGF50DH60TG

Дел Акција: 430

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 65A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DSK60T3G

Дел Акција: 463

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Dual Buck Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 65A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF50DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DDA60T3G

Дел Акција: 3088

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Dual Boost Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 65A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF50DH120TG
Microsemi Corporation

APTGF50DH120TG

Дел Акција: 496

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF50DA120TG
Microsemi Corporation

APTGF50DA120TG

Дел Акција: 424

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF50DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF50DA120T1G

Дел Акција: 439

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50A60T1G

Дел Акција: 518

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 65A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF50A120TG
Microsemi Corporation

APTGF50A120TG

Дел Акција: 3078

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF500U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF500U60D4G

Дел Акција: 520

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 625A, Моќност - Макс: 2000W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 500A,

Листа на желби.
APTGF50A120T1G
Microsemi Corporation

APTGF50A120T1G

Дел Акција: 439

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF400U120D4G
Microsemi Corporation

APTGF400U120D4G

Дел Акција: 3075

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 510A, Моќност - Макс: 2500W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 400A,

Листа на желби.
APTGF360U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF360U60D4G

Дел Акција: 479

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 450A, Моќност - Макс: 1560W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 360A,

Листа на желби.
APTGF350DU60G
Microsemi Corporation

APTGF350DU60G

Дел Акција: 449

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Dual, Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 430A, Моќност - Макс: 1562W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Листа на желби.
APTGF350SK60G
Microsemi Corporation

APTGF350SK60G

Дел Акција: 437

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 430A, Моќност - Макс: 1562W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Листа на желби.
APTGF350A60G
Microsemi Corporation

APTGF350A60G

Дел Акција: 508

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 430A, Моќност - Макс: 1562W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Листа на желби.
APTGF350DA60G
Microsemi Corporation

APTGF350DA60G

Дел Акција: 424

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 430A, Моќност - Макс: 1562W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A,

Листа на желби.
APTGF330SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330SK60D3G

Дел Акција: 514

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 460A, Моќност - Макс: 1400W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A,

Листа на желби.
APTGF30X60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30X60T3G

Дел Акција: 504

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Three Phase Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 42A, Моќност - Макс: 140W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Листа на желби.
APTGF330A60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330A60D3G

Дел Акција: 444

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 520A, Моќност - Макс: 1560W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 400A,

Листа на желби.
APTGF30H60T1G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T1G

Дел Акција: 469

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 42A, Моќност - Макс: 140W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Листа на желби.
APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGF30H60T3G

Дел Акција: 491

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 42A, Моќност - Макс: 140W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Листа на желби.