Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - IGBTs - Modules

  • Дома
  •  
  • Transistors - IGBTs - Modules
APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170T1G

Дел Акција: 539

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 45A, Моќност - Макс: 210W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Листа на желби.
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30H60T3G

Дел Акција: 462

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50A, Моќност - Макс: 90W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Листа на желби.
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30DDA60T3G

Дел Акција: 494

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual Boost Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50A, Моќност - Макс: 90W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Листа на желби.
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170T1G

Дел Акција: 474

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 45A, Моќност - Макс: 210W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Листа на желби.
APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT30A60T1G

Дел Акција: 506

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50A, Моќност - Макс: 90W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Листа на желби.
APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170D1G

Дел Акција: 525

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 45A, Моќност - Макс: 210W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Листа на желби.
APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170D3G

Дел Акција: 547

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 530A, Моќност - Макс: 1470W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Листа на желби.
APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30A170D1G

Дел Акција: 458

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 45A, Моќност - Макс: 210W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Листа на желби.
APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300DA120D3G

Дел Акција: 482

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 440A, Моќност - Макс: 1250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Листа на желби.
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK120D3G

Дел Акција: 515

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 440A, Моќност - Макс: 1250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Листа на желби.
APTGT25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25H120T1G

Дел Акција: 449

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 40A, Моќност - Макс: 156W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Листа на желби.
APTGT25SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25SK120D1G

Дел Акција: 3101

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 40A, Моќност - Макс: 140W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Листа на желби.
APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25DA120D1G

Дел Акција: 503

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 40A, Моќност - Макс: 140W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Листа на желби.
APTGT25A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120T1G

Дел Акција: 542

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 40A, Моќност - Макс: 156W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Листа на желби.
APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20X60T3G

Дел Акција: 455

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Three Phase Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 32A, Моќност - Макс: 62W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Листа на желби.
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120D1G

Дел Акција: 495

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 40A, Моќност - Макс: 140W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Листа на желби.
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20DSK60T3G

Дел Акција: 520

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual Buck Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 32A, Моќност - Макс: 62W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Листа на желби.
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20H60T3G

Дел Акција: 543

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 32A, Моќност - Макс: 62W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Листа на желби.
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT20A60T1G

Дел Акција: 446

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 32A, Моќност - Макс: 62W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Листа на желби.
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK170D3G

Дел Акција: 509

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 400A, Моќност - Макс: 1250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60TG

Дел Акција: 478

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 290A, Моќност - Макс: 625W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK120D3G

Дел Акција: 528

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 300A, Моќност - Макс: 1050W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT200DA60TG

Дел Акција: 520

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 290A, Моќност - Макс: 625W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200DA170D3G

Дел Акција: 465

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 400A, Моќност - Макс: 1250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation

APTGT200A60TG

Дел Акција: 491

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 290A, Моќност - Макс: 625W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170D1G

Дел Акција: 479

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 280A, Моќност - Макс: 780W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK60TG

Дел Акција: 527

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 225A, Моќност - Макс: 480W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK120TG

Дел Акција: 460

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 220A, Моќност - Макс: 690W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK120D1G

Дел Акција: 445

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 220A, Моќност - Макс: 700W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DU60TG

Дел Акција: 491

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual, Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 225A, Моќност - Макс: 480W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation

APTGT150DU170G

Дел Акција: 520

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual, Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 250A, Моќност - Макс: 890W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA60TG

Дел Акција: 521

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 225A, Моќност - Макс: 480W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGT150DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170D1G

Дел Акција: 476

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 280A, Моќност - Макс: 780W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170G

Дел Акција: 517

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 250A, Моќност - Макс: 890W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGT150DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA120D1G

Дел Акција: 471

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 220A, Моќност - Макс: 700W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGT150DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA120TG

Дел Акција: 482

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 220A, Моќност - Макс: 690W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Листа на желби.