Transistors - IGBTs - Modules | Discrete Semiconductor Products | 16

APTGF100SK120TG

Дел Акција: 453

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 135A, Моќност - Макс: 568W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

Дел Акција: 3069

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 200A, Моќност - Макс: 961W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

Дел Акција: 453

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Dual, Common Source, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 135A, Моќност - Макс: 568W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

Дел Акција: 411

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 130A, Моќност - Макс: 735W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

Дел Акција: 435

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 135A, Моќност - Макс: 568W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

Дел Акција: 455

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 93A, Моќност - Макс: 378W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

Дел Акција: 418

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 93A, Моќност - Макс: 378W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

Дел Акција: 3465

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 347W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

Дел Акција: 3433

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 347W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

Дел Акција: 448

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 277W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

Дел Акција: 465

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 58A, Моќност - Макс: 192W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

Дел Акција: 416

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 58A, Моќност - Макс: 192W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

Дел Акција: 481

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 120A, Моќност - Макс: 416W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT75GN120J

Дел Акција: 420

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 124A, Моќност - Макс: 379W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

Дел Акција: 401

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 124A, Моќност - Макс: 379W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT60GT60JR

Дел Акција: 445

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 93A, Моќност - Макс: 378W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT50GP60J

Дел Акција: 2419

Тип на IGBT: PT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 329W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

Дел Акција: 393

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 72A, Моќност - Макс: 379W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

Дел Акција: 2536

Тип на IGBT: PT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 86A, Моќност - Макс: 284W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

Дел Акција: 469

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 77A, Моќност - Макс: 347W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT200GN60JG

Дел Акција: 406

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 283A, Моќност - Макс: 682W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

Дел Акција: 1653

Тип на IGBT: PT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 128A, Моќност - Макс: 543W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

Дел Акција: 1360

Тип на IGBT: NPT, Trench Field Stop, Конфигурација: Boost Chopper, Full Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 65A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT40GP90JDQ2

Дел Акција: 2143

Тип на IGBT: PT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 900V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 64A, Моќност - Макс: 284W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT40GP90J

Дел Акција: 2176

Тип на IGBT: PT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 900V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 68A, Моќност - Макс: 284W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT50GP60JDQ2

Дел Акција: 2312

Тип на IGBT: PT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 329W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APT30GP60JDQ1

Дел Акција: 2849

Тип на IGBT: PT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 67A, Моќност - Макс: 245W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APTGF50DA120CT1G

Дел Акција: 351

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APTGF90DA60CT1G

Дел Акција: 336

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 110A, Моќност - Макс: 416W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APTGT75DH60T1G

Дел Акција: 3031

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APTGT50A1202G

Дел Акција: 3035

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 277W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APTGF100A120T3WG

Дел Акција: 285

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 130A, Моќност - Макс: 657W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APTGT75SK170D1G

Дел Акција: 351

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 120A, Моќност - Макс: 520W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APTGT75SK60T1G

Дел Акција: 371

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APTGT50SK120D1G

Дел Акција: 316

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 270W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APTGT75A120TG

Дел Акција: 363

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 350W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Листа на желби.