Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - IGBTs - Modules

  • Дома
  •  
  • Transistors - IGBTs - Modules
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation

APTGT50H120TG

Дел Акција: 318

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 277W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DA170TG

Дел Акција: 319

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30DSK60T3G

Дел Акција: 290

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual Buck Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50A, Моќност - Макс: 90W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Листа на желби.
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20DDA60T3G

Дел Акција: 311

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual Boost Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 32A, Моќност - Макс: 62W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Листа на желби.
APTGT150A60TG
Microsemi Corporation

APTGT150A60TG

Дел Акција: 326

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 225A, Моќност - Макс: 480W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGT150A170G
Microsemi Corporation

APTGT150A170G

Дел Акција: 349

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1700V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 250A, Моќност - Макс: 890W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APTGF50H60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T1G

Дел Акција: 308

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 65A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF50H120TG
Microsemi Corporation

APTGF50H120TG

Дел Акција: 317

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Листа на желби.
APTGF330DA60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330DA60D3G

Дел Акција: 3084

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 460A, Моќност - Макс: 1400W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A,

Листа на желби.
APTGF25DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25DSK120T3G

Дел Акција: 347

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Dual Buck Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 40A, Моќност - Макс: 208W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Листа на желби.
APTGF15X120T3G
Microsemi Corporation

APTGF15X120T3G

Дел Акција: 282

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Three Phase Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 25A, Моќност - Макс: 140W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Листа на желби.
APTGF100DA120TG
Microsemi Corporation

APTGF100DA120TG

Дел Акција: 363

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 135A, Моќност - Макс: 568W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Листа на желби.
APTGF150H120G
Microsemi Corporation

APTGF150H120G

Дел Акција: 322

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 200A, Моќност - Макс: 961W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Листа на желби.
APT100GF60JU2
Microsemi Corporation

APT100GF60JU2

Дел Акција: 3038

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 120A, Моќност - Макс: 416W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Листа на желби.
APT200GN60JDQ4G
Microsemi Corporation

APT200GN60JDQ4G

Дел Акција: 326

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 283A, Моќност - Макс: 682W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Листа на желби.
APT35GP120JDQ2
Microsemi Corporation

APT35GP120JDQ2

Дел Акција: 2090

Тип на IGBT: PT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 64A, Моќност - Макс: 284W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A,

Листа на желби.