Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

  • Дома
  •  
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
FQP3N50C-F080
ON Semiconductor

FQP3N50C-F080

Дел Акција: 4379

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.
FQP22N30
ON Semiconductor

FQP22N30

Дел Акција: 29307

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 21A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 10.5A, 10V,

Листа на желби.
FQB19N20CTM
ON Semiconductor

FQB19N20CTM

Дел Акција: 102638

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 19A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9.5A, 10V,

Листа на желби.
FQPF2N80
ON Semiconductor

FQPF2N80

Дел Акција: 38434

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 Ohm @ 750mA, 10V,

Листа на желби.
FDB8445
ON Semiconductor

FDB8445

Дел Акција: 65520

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 70A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 70A, 10V,

Листа на желби.
FQPF5N90
ON Semiconductor

FQPF5N90

Дел Акција: 80979

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 900V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.
HUF75639P3
ON Semiconductor

HUF75639P3

Дел Акција: 31727

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 56A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V,

Листа на желби.
FDB3672-F085
ON Semiconductor

FDB3672-F085

Дел Акција: 4294

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.2A (Ta), 44A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 44A, 10V,

Листа на желби.
FDP8860
ON Semiconductor

FDP8860

Дел Акција: 24927

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
FDA24N40F
ON Semiconductor

FDA24N40F

Дел Акција: 21756

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 23A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 11.5A, 10V,

Листа на желби.
FDPF13N50FT
ON Semiconductor

FDPF13N50FT

Дел Акција: 64318

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 6A, 10V,

Листа на желби.
FDP2532
ON Semiconductor

FDP2532

Дел Акција: 19092

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Ta), 79A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 33A, 10V,

Листа на желби.
FDA69N25
ON Semiconductor

FDA69N25

Дел Акција: 17795

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 69A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 34.5A, 10V,

Листа на желби.
FCPF11N60F
ON Semiconductor

FCPF11N60F

Дел Акција: 31182

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

Листа на желби.
FDPF8N50NZF
ON Semiconductor

FDPF8N50NZF

Дел Акција: 126035

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.5A, 10V,

Листа на желби.
FCP9N60N
ON Semiconductor

FCP9N60N

Дел Акција: 21229

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 4.5A, 10V,

Листа на желби.
FDPF5N60NZ
ON Semiconductor

FDPF5N60NZ

Дел Акција: 64303

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.25A, 10V,

Листа на желби.
FQPF30N06L
ON Semiconductor

FQPF30N06L

Дел Акција: 47610

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 11.3A, 10V,

Листа на желби.
FQPF10N50CF
ON Semiconductor

FQPF10N50CF

Дел Акција: 60221

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.
FDPF2D3N10C
ON Semiconductor

FDPF2D3N10C

Дел Акција: 4384

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 222A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

Листа на желби.
NVF3055-100T1G
ON Semiconductor

NVF3055-100T1G

Дел Акција: 196067

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.
FDP8441
ON Semiconductor

FDP8441

Дел Акција: 17716

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 23A (Ta), 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
PCP1402-TD-H
ON Semiconductor

PCP1402-TD-H

Дел Акција: 146400

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 600mA, 10V,

Листа на желби.
FQPF47P06YDTU
ON Semiconductor

FQPF47P06YDTU

Дел Акција: 36357

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.
FDB016N04AL7
ON Semiconductor

FDB016N04AL7

Дел Акција: 27807

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 160A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
FQP34N20
ON Semiconductor

FQP34N20

Дел Акција: 31755

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 31A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 15.5A, 10V,

Листа на желби.
FCPF380N60-F152
ON Semiconductor

FCPF380N60-F152

Дел Акција: 4304

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10.2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.
FQP6N40C
ON Semiconductor

FQP6N40C

Дел Акција: 162320

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3A, 10V,

Листа на желби.
FQPF8N60CFT
ON Semiconductor

FQPF8N60CFT

Дел Акција: 41199

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.26A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.13A, 10V,

Листа на желби.
FDPF770N15A
ON Semiconductor

FDPF770N15A

Дел Акција: 59627

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.
FQP20N06
ON Semiconductor

FQP20N06

Дел Акција: 69108

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.
FCPF13N60NT
ON Semiconductor

FCPF13N60NT

Дел Акција: 31279

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258 mOhm @ 6.5A, 10V,

Листа на желби.
FQPF17N40T
ON Semiconductor

FQPF17N40T

Дел Акција: 41844

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.75A, 10V,

Листа на желби.
FQI7N60TU
ON Semiconductor

FQI7N60TU

Дел Акција: 51626

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.7A, 10V,

Листа на желби.
FDP030N06
ON Semiconductor

FDP030N06

Дел Акција: 26338

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.
FDPF12N50T
ON Semiconductor

FDPF12N50T

Дел Акција: 39208

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V,

Листа на желби.