Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

  • Дома
  •  
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
FDD6782A
ON Semiconductor

FDD6782A

Дел Акција: 712

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 14.9A, 10V,

Листа на желби.
FDC633N_F095
ON Semiconductor

FDC633N_F095

Дел Акција: 582

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.2A, 4.5V,

Листа на желби.
FQD12N20TM_F080
ON Semiconductor

FQD12N20TM_F080

Дел Акција: 724

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.5A, 10V,

Листа на желби.
PN3685
ON Semiconductor

PN3685

Дел Акција: 774

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide),

Листа на желби.
FQD7N10TM
ON Semiconductor

FQD7N10TM

Дел Акција: 611

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2.9A, 10V,

Листа на желби.
FDD6780A
ON Semiconductor

FDD6780A

Дел Акција: 703

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 16.4A (Ta), 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 16.4A, 10V,

Листа на желби.
NDS7002A_NB9GGTXA
ON Semiconductor

NDS7002A_NB9GGTXA

Дел Акција: 607

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 280mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.
NTGS1135PT1G
ON Semiconductor

NTGS1135PT1G

Дел Акција: 678

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 8V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

Листа на желби.
FQU17P06TU
ON Semiconductor

FQU17P06TU

Дел Акција: 67251

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 6A, 10V,

Листа на желби.
FQD8P10TM_F080
ON Semiconductor

FQD8P10TM_F080

Дел Акција: 651

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 3.3A, 10V,

Листа на желби.
SSR1N60BTM_F080
ON Semiconductor

SSR1N60BTM_F080

Дел Акција: 6095

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 900mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 450mA, 10V,

Листа на желби.
NTB5411NT4G
ON Semiconductor

NTB5411NT4G

Дел Акција: 622

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 40A, 10V,

Листа на желби.
FDJ128N_F077
ON Semiconductor

FDJ128N_F077

Дел Акција: 619

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

Листа на желби.
NTMFS4119NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4119NT1G

Дел Акција: 884

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 29A, 10V,

Листа на желби.
FDH5500
ON Semiconductor

FDH5500

Дел Акција: 580

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.
NTMFS4823NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4823NT3G

Дел Акција: 661

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.9A (Ta), 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
FDP8442-F085
ON Semiconductor

FDP8442-F085

Дел Акција: 609

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 23A (Ta), 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
NTD4809NHT4G
ON Semiconductor

NTD4809NHT4G

Дел Акција: 842

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
FDD6680A
ON Semiconductor

FDD6680A

Дел Акција: 6086

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Ta), 56A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 14A, 10V,

Листа на желби.
NTD23N03RT4G
ON Semiconductor

NTD23N03RT4G

Дел Акција: 818

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), 17.1A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V,

Листа на желби.
NTMFS4847NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4847NT3G

Дел Акција: 671

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11.5A (Ta), 85A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
FDC602P_F095
ON Semiconductor

FDC602P_F095

Дел Акција: 573

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

Листа на желби.
IRFP450B
ON Semiconductor

IRFP450B

Дел Акција: 724

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 7A, 10V,

Листа на желби.
FQP6N60C_F080
ON Semiconductor

FQP6N60C_F080

Дел Акција: 682

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.75A, 10V,

Листа на желби.
FQA36P15_F109
ON Semiconductor

FQA36P15_F109

Дел Акција: 614

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 36A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.
FDP75N08
ON Semiconductor

FDP75N08

Дел Акција: 575

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37.5A, 10V,

Листа на желби.
FQT2P25TF
ON Semiconductor

FQT2P25TF

Дел Акција: 106749

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 550mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 275mA, 10V,

Листа на желби.
FQD6N50CTM_F080
ON Semiconductor

FQD6N50CTM_F080

Дел Акција: 743

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V,

Листа на желби.
FDD6680
ON Semiconductor

FDD6680

Дел Акција: 617

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), 46A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.
FDD6682
ON Semiconductor

FDD6682

Дел Акција: 568

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 17A, 10V,

Листа на желби.
NTMFS4821NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4821NT3G

Дел Акција: 592

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
IRFR420BTM
ON Semiconductor

IRFR420BTM

Дел Акција: 694

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 1.15A, 10V,

Листа на желби.
FDP3205
ON Semiconductor

FDP3205

Дел Акција: 646

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 59A, 10V,

Листа на желби.
FDB8876
ON Semiconductor

FDB8876

Дел Акција: 555

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 71A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 40A, 10V,

Листа на желби.
NTB90N02T4G
ON Semiconductor

NTB90N02T4G

Дел Акција: 842

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 24V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 90A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 90A, 10V,

Листа на желби.
NTR3162PT3G
ON Semiconductor

NTR3162PT3G

Дел Акција: 623

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.2A, 4.5V,

Листа на желби.