Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

  • Дома
  •  
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NTD85N02RT4G
ON Semiconductor

NTD85N02RT4G

Дел Акција: 6094

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 24V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), 85A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
SFU9220TU_AM002
ON Semiconductor

SFU9220TU_AM002

Дел Акција: 737

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

Листа на желби.
HUF75637S3_NR4895
ON Semiconductor

HUF75637S3_NR4895

Дел Акција: 616

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 44A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 44A, 10V,

Листа на желби.
NTTS2P02R2G
ON Semiconductor

NTTS2P02R2G

Дел Акција: 837

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.4A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Листа на желби.
FQD10N20CTM_F080
ON Semiconductor

FQD10N20CTM_F080

Дел Акција: 6120

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.9A, 10V,

Листа на желби.
FQP47P06_NW82049
ON Semiconductor

FQP47P06_NW82049

Дел Акција: 670

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 47A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 23.5A, 10V,

Листа на желби.
FQD7P06TM_NB82050
ON Semiconductor

FQD7P06TM_NB82050

Дел Акција: 573

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451 mOhm @ 2.7A, 10V,

Листа на желби.
NTMS4873NFR2G
ON Semiconductor

NTMS4873NFR2G

Дел Акција: 653

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.
FQB3N60CTM
ON Semiconductor

FQB3N60CTM

Дел Акција: 648

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.
NTGD3147FT1G
ON Semiconductor

NTGD3147FT1G

Дел Акција: 6125

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V,

Листа на желби.
CPH3348-TL-E
ON Semiconductor

CPH3348-TL-E

Дел Акција: 6089

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 12V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Листа на желби.
VN2222LLRLRAG
ON Semiconductor

VN2222LLRLRAG

Дел Акција: 6166

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.
IRFS654B_FP001
ON Semiconductor

IRFS654B_FP001

Дел Акција: 717

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 21A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 10.5A, 10V,

Листа на желби.
NTHD5904NT1G
ON Semiconductor

NTHD5904NT1G

Дел Акција: 838

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Листа на желби.
FDU6680
ON Semiconductor

FDU6680

Дел Акција: 575

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), 46A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.
NTS4172NT1G
ON Semiconductor

NTS4172NT1G

Дел Акција: 690

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.7A, 10V,

Листа на желби.
NTMFS4849NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4849NT1G

Дел Акција: 663

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10.2A (Ta), 71A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
FDC2512_F095
ON Semiconductor

FDC2512_F095

Дел Акција: 617

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425 mOhm @ 1.4A, 10V,

Листа на желби.
NTTS2P03R2G
ON Semiconductor

NTTS2P03R2G

Дел Акција: 896

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.48A, 10V,

Листа на желби.
NTD40N03RG
ON Semiconductor

NTD40N03RG

Дел Акција: 294

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), 32A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.
FDP8442
ON Semiconductor

FDP8442

Дел Акција: 354

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 23A (Ta), 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
NTD95N02RG
ON Semiconductor

NTD95N02RG

Дел Акција: 342

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 24V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), 32A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
NTMFS4708NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4708NT1G

Дел Акција: 337

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11.5A, 10V,

Листа на желби.
NTD78N03-001
ON Semiconductor

NTD78N03-001

Дел Акција: 340

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

Листа на желби.
FDB3632
ON Semiconductor

FDB3632

Дел Акција: 40642

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
NTGS3443T2G
ON Semiconductor

NTGS3443T2G

Дел Акција: 451

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

Листа на желби.
NTD3055L104G
ON Semiconductor

NTD3055L104G

Дел Акција: 291

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 6A, 5V,

Листа на желби.
NTD25P03LRLG
ON Semiconductor

NTD25P03LRLG

Дел Акција: 455

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 25A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 25A, 5V,

Листа на желби.
NTGS4111PT1
ON Semiconductor

NTGS4111PT1

Дел Акција: 331

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 10V,

Листа на желби.
NTD4815NH-35G
ON Semiconductor

NTD4815NH-35G

Дел Акција: 492

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.9A (Ta), 35A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
NTD4810NHT4G
ON Semiconductor

NTD4810NHT4G

Дел Акција: 449

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9A (Ta), 54A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
FDP5N50
ON Semiconductor

FDP5N50

Дел Акција: 557

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V,

Листа на желби.
NTMFS4841NHT1G
ON Semiconductor

NTMFS4841NHT1G

Дел Акција: 118611

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.6A (Ta), 59A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
NTMFS4119NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4119NT3G

Дел Акција: 377

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 29A, 10V,

Листа на желби.
NTD4856NT4G
ON Semiconductor

NTD4856NT4G

Дел Акција: 520

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13.3A (Ta), 89A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
NTD5407NT4G
ON Semiconductor

NTD5407NT4G

Дел Акција: 461

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 38A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.