Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output

  • Дома
  •  
  • Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
FOD2741BSDV
ON Semiconductor

FOD2741BSDV

Дел Акција: 116033

Број на канали: 1, Напон - изолација: 5000Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 100% @ 10mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 200% @ 10mA,

Листа на желби.
FOD2741A
ON Semiconductor

FOD2741A

Дел Акција: 43867

Број на канали: 1, Напон - изолација: 5000Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 100% @ 10mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 200% @ 10mA,

Листа на желби.
FOD2712A
ON Semiconductor

FOD2712A

Дел Акција: 56799

Број на канали: 1, Напон - изолација: 2500Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 100% @ 10mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 200% @ 10mA,

Листа на желби.
H11A1M
ON Semiconductor

H11A1M

Дел Акција: 5239

Број на канали: 1, Напон - изолација: 4170Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 50% @ 10mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 2µs, 2µs,

Листа на желби.
MOCD208M
ON Semiconductor

MOCD208M

Дел Акција: 70499

Број на канали: 2, Напон - изолација: 2500Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 40% @ 10mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 125% @ 10mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 7.5µs, 5.7µs, Време на пораст / пад (тип): 3.2µs, 4.7µs,

Листа на желби.
CNY171SM
ON Semiconductor

CNY171SM

Дел Акција: 111006

Број на канали: 1, Напон - изолација: 4170Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 40% @ 10mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 80% @ 10mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 2µs, 3µs, Време на пораст / пад (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Листа на желби.
CNY173M
ON Semiconductor

CNY173M

Дел Акција: 120142

Број на канали: 1, Напон - изолација: 4170Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 100% @ 10mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 200% @ 10mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 2µs, 3µs, Време на пораст / пад (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Листа на желби.
FOD852300W
ON Semiconductor

FOD852300W

Дел Акција: 199270

Број на канали: 1, Напон - изолација: 5000Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 1000% @ 1mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 15000% @ 1mA, Време на пораст / пад (тип): 100µs, 20µs,

Листа на желби.
CNY172SM
ON Semiconductor

CNY172SM

Дел Акција: 198977

Број на канали: 1, Напон - изолација: 4170Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 63% @ 10mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 125% @ 10mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 2µs, 3µs, Време на пораст / пад (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Листа на желби.
H11D1M
ON Semiconductor

H11D1M

Дел Акција: 174127

Број на канали: 1, Напон - изолација: 4170Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 20% @ 10mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 5µs, 5µs,

Листа на желби.
MOC8050SR2M
ON Semiconductor

MOC8050SR2M

Дел Акција: 119751

Број на канали: 1, Напон - изолација: 4170Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 500% @ 10mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 8.5µs, 95µs,

Листа на желби.
MOCD223R2VM
ON Semiconductor

MOCD223R2VM

Дел Акција: 140379

Број на канали: 2, Напон - изолација: 2500Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 500% @ 1mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 10µs, 125µs, Време на пораст / пад (тип): 8µs, 110µs,

Листа на желби.
FOD817D300W
ON Semiconductor

FOD817D300W

Дел Акција: 126327

Број на канали: 1, Напон - изолација: 5000Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 300% @ 5mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 600% @ 5mA, Време на пораст / пад (тип): 4µs, 3µs,

Листа на желби.
H11AV1SM
ON Semiconductor

H11AV1SM

Дел Акција: 78742

Број на канали: 1, Напон - изолација: 4170Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 100% @ 10mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 300% @ 10mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 15µs, 15µs (Max),

Листа на желби.
H11AA1M
ON Semiconductor

H11AA1M

Дел Акција: 76315

Број на канали: 1, Напон - изолација: 4170Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 20% @ 10mA,

Листа на желби.
FOD050LR2
ON Semiconductor

FOD050LR2

Дел Акција: 80083

Број на канали: 1, Напон - изолација: 2500Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 15% @ 16mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 50% @ 16mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 1µs, 1µs (Max),

Листа на желби.
MCT5210M
ON Semiconductor

MCT5210M

Дел Акција: 59622

Број на канали: 1, Напон - изолација: 4170Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 70% @ 3mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 10µs, 400ns,

Листа на желби.
CNY17F2VM
ON Semiconductor

CNY17F2VM

Дел Акција: 136248

Број на канали: 1, Напон - изолација: 4170Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 63% @ 10mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 125% @ 10mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 2µs, 3µs, Време на пораст / пад (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Листа на желби.
FOD852
ON Semiconductor

FOD852

Дел Акција: 66028

Број на канали: 1, Напон - изолација: 5000Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 1000% @ 1mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 15000% @ 1mA, Време на пораст / пад (тип): 100µs, 20µs,

Листа на желби.
MCT6S
ON Semiconductor

MCT6S

Дел Акција: 73298

Број на канали: 2, Напон - изолација: 5000Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 20% @ 10mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 2.4µs, 2.4µs,

Листа на желби.
H11G2SR2M
ON Semiconductor

H11G2SR2M

Дел Акција: 197758

Број на канали: 1, Напон - изолација: 4170Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 1000% @ 10mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 5µs, 100µs,

Листа на желби.
FOD817C3S
ON Semiconductor

FOD817C3S

Дел Акција: 117326

Број на канали: 1, Напон - изолација: 5000Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 200% @ 5mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 400% @ 5mA, Време на пораст / пад (тип): 4µs, 3µs,

Листа на желби.
MCT2EM
ON Semiconductor

MCT2EM

Дел Акција: 114471

Број на канали: 1, Напон - изолација: 7500Vpk, Тековен коефициент на трансфер (мин): 20% @ 10mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 2µs, 2µs, Време на пораст / пад (тип): 2µs, 1.5µs,

Листа на желби.
H11A1SR2M
ON Semiconductor

H11A1SR2M

Дел Акција: 139413

Број на канали: 1, Напон - изолација: 4170Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 50% @ 10mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 2µs, 2µs,

Листа на желби.
H11G2M
ON Semiconductor

H11G2M

Дел Акција: 71839

Број на канали: 1, Напон - изолација: 4170Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 1000% @ 10mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 5µs, 100µs,

Листа на желби.
H11AA4SM
ON Semiconductor

H11AA4SM

Дел Акција: 71816

Број на канали: 1, Напон - изолација: 4170Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 100% @ 10mA,

Листа на желби.
FOD2741BSD
ON Semiconductor

FOD2741BSD

Дел Акција: 118876

Број на канали: 1, Напон - изолација: 5000Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 100% @ 10mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 200% @ 10mA,

Листа на желби.
MCT9001
ON Semiconductor

MCT9001

Дел Акција: 68468

Број на канали: 2, Напон - изолација: 5000Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 50% @ 5mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 600% @ 5mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 3µs, 3µs, Време на пораст / пад (тип): 2.4µs, 2.4µs,

Листа на желби.
H11F1SR2M
ON Semiconductor

H11F1SR2M

Дел Акција: 48316

Број на канали: 1, Напон - изолација: 7500Vpk, Време на вклучување / исклучување (тип): 45µs, 45µs (Max),

Листа на желби.
FOD852300
ON Semiconductor

FOD852300

Дел Акција: 66001

Број на канали: 1, Напон - изолација: 5000Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 1000% @ 1mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 15000% @ 1mA, Време на пораст / пад (тип): 100µs, 20µs,

Листа на желби.
HCPL2531V
ON Semiconductor

HCPL2531V

Дел Акција: 68904

Број на канали: 2, Напон - изолација: 2500Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 19% @ 16mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 50% @ 16mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 450ns, 300ns,

Листа на желби.
FODM1009R2
ON Semiconductor

FODM1009R2

Дел Акција: 117811

Број на канали: 1, Напон - изолација: 5000Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 200% @ 5mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 400% @ 5mA, Време на пораст / пад (тип): 5.7µs, 8.5µs,

Листа на желби.
FODM121BR2
ON Semiconductor

FODM121BR2

Дел Акција: 123034

Број на канали: 1, Напон - изолација: 3750Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 50% @ 5mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 150% @ 5mA, Време на пораст / пад (тип): 3µs, 3µs,

Листа на желби.
FOD053LR2
ON Semiconductor

FOD053LR2

Дел Акција: 49759

Број на канали: 2, Напон - изолација: 2500Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 15% @ 16mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 50% @ 16mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 1µs, 1µs (Max),

Листа на желби.
HCPL0531R2
ON Semiconductor

HCPL0531R2

Дел Акција: 51607

Број на канали: 2, Напон - изолација: 2500Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 19% @ 16mA, Тековен коефициент на трансфер (максимум): 50% @ 16mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 450ns, 300ns,

Листа на желби.
H11D3SR2M
ON Semiconductor

H11D3SR2M

Дел Акција: 199642

Број на канали: 1, Напон - изолација: 4170Vrms, Тековен коефициент на трансфер (мин): 20% @ 10mA, Време на вклучување / исклучување (тип): 5µs, 5µs,

Листа на желби.