Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

  • Дома
  •  
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
NJD1718T4G
ON Semiconductor

NJD1718T4G

Дел Акција: 130699

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
NJVNJD35N04T4G
ON Semiconductor

NJVNJD35N04T4G

Дел Акција: 106745

Тип на транзистор: NPN - Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 4A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 350V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Листа на желби.
FJX1182YTF
ON Semiconductor

FJX1182YTF

Дел Акција: 117438

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.
FZT3019
ON Semiconductor

FZT3019

Дел Акција: 120329

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.
MJD32T4G
ON Semiconductor

MJD32T4G

Дел Акција: 105821

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Листа на желби.
MCH3145-TL-E
ON Semiconductor

MCH3145-TL-E

Дел Акција: 153395

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 330mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.
KSH44H11TF
ON Semiconductor

KSH44H11TF

Дел Акција: 197206

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 8A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Листа на желби.
NJVMJD350T4G
ON Semiconductor

NJVMJD350T4G

Дел Акција: 135300

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 300V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Листа на желби.
MMBTA56LT1G
ON Semiconductor

MMBTA56LT1G

Дел Акција: 145900

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.
NJV4031NT1G
ON Semiconductor

NJV4031NT1G

Дел Акција: 184303

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V,

Листа на желби.
KSH42CTF
ON Semiconductor

KSH42CTF

Дел Акција: 191674

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 6A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Листа на желби.
MJ11021G
ON Semiconductor

MJ11021G

Дел Акција: 10533

Тип на транзистор: PNP - Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 15A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 250V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V,

Листа на желби.
MJD200T4G
ON Semiconductor

MJD200T4G

Дел Акција: 123189

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 25V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

Листа на желби.
FSB560
ON Semiconductor

FSB560

Дел Акција: 104131

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
SMMBT2222ALT1G
ON Semiconductor

SMMBT2222ALT1G

Дел Акција: 177340

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.
CPH3116-TL-E
ON Semiconductor

CPH3116-TL-E

Дел Акција: 169101

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 430mV @ 10mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.
NSV12200LT1G
ON Semiconductor

NSV12200LT1G

Дел Акција: 148051

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
CPH3215-TL-H
ON Semiconductor

CPH3215-TL-H

Дел Акција: 146816

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1.5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.
NSV20200LT1G
ON Semiconductor

NSV20200LT1G

Дел Акција: 195524

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
MMBTA05LT3G
ON Semiconductor

MMBTA05LT3G

Дел Акција: 126347

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.
SMMBTA14LT3G
ON Semiconductor

SMMBTA14LT3G

Дел Акција: 169566

Тип на транзистор: NPN - Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 300mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
NSS30070MR6T1G
ON Semiconductor

NSS30070MR6T1G

Дел Акција: 140385

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 700mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V,

Листа на желби.
NJVMJD6039T4G
ON Semiconductor

NJVMJD6039T4G

Дел Акција: 186124

Тип на транзистор: NPN - Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 4A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V,

Листа на желби.
NSS40301MZ4T3G
ON Semiconductor

NSS40301MZ4T3G

Дел Акција: 199286

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V,

Листа на желби.
MJD44E3T4G
ON Semiconductor

MJD44E3T4G

Дел Акција: 193525

Тип на транзистор: NPN - Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 10A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V,

Листа на желби.
NSV1C201LT1G
ON Semiconductor

NSV1C201LT1G

Дел Акција: 133818

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
MJE253G
ON Semiconductor

MJE253G

Дел Акција: 124125

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 4A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Листа на желби.
MJD32CTM
ON Semiconductor

MJD32CTM

Дел Акција: 119171

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Листа на желби.
NSS20200LT1G
ON Semiconductor

NSS20200LT1G

Дел Акција: 118980

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
KSB772YSTU
ON Semiconductor

KSB772YSTU

Дел Акција: 155810

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

Листа на желби.
TIP147TU
ON Semiconductor

TIP147TU

Дел Акција: 44949

Тип на транзистор: PNP - Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 10A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 2mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Листа на желби.
SMMBTA06LT3G
ON Semiconductor

SMMBTA06LT3G

Дел Акција: 191074

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.
NJVMJD2955T4G
ON Semiconductor

NJVMJD2955T4G

Дел Акција: 137048

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 10A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Листа на желби.
NSVBC850CLT1G
ON Semiconductor

NSVBC850CLT1G

Дел Акција: 177948

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.
KSH29CTF
ON Semiconductor

KSH29CTF

Дел Акција: 112933

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Листа на желби.
MJE15029G
ON Semiconductor

MJE15029G

Дел Акција: 48553

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 8A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V,

Листа на желби.