Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

  • Дома
  •  
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
MJE5731G
ON Semiconductor

MJE5731G

Дел Акција: 64851

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 350V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Листа на желби.
FJPF5027RTU
ON Semiconductor

FJPF5027RTU

Дел Акција: 73294

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 800V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V,

Листа на желби.
FJP3305H1TU
ON Semiconductor

FJP3305H1TU

Дел Акција: 120090

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 4A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 400V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Листа на желби.
MBT35200MT1G
ON Semiconductor

MBT35200MT1G

Дел Акција: 139320

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 35V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V,

Листа на желби.
FSB619
ON Semiconductor

FSB619

Дел Акција: 110044

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 320mV @ 50mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Листа на желби.
MJD117G
ON Semiconductor

MJD117G

Дел Акција: 116274

Тип на транзистор: PNP - Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 20µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

Листа на желби.
MJE210G
ON Semiconductor

MJE210G

Дел Акција: 135695

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

Листа на желби.
TIP49
ON Semiconductor

TIP49

Дел Акција: 149064

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 350V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Листа на желби.
NJL0281DG
ON Semiconductor

NJL0281DG

Дел Акција: 619

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 15A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 260V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Листа на желби.
TIP48TU
ON Semiconductor

TIP48TU

Дел Акција: 107718

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 300V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Листа на желби.
MJE18004G
ON Semiconductor

MJE18004G

Дел Акција: 76319

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 450V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V,

Листа на желби.
KSH45H11ITU
ON Semiconductor

KSH45H11ITU

Дел Акција: 79596

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 8A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Листа на желби.
MJE15034G
ON Semiconductor

MJE15034G

Дел Акција: 53158

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 4A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 350V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

Листа на желби.
KSD560YTU
ON Semiconductor

KSD560YTU

Дел Акција: 198881

Тип на транзистор: NPN - Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V,

Листа на желби.
MJW21194G
ON Semiconductor

MJW21194G

Дел Акција: 17058

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 16A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 250V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V,

Листа на желби.
KSA940TU
ON Semiconductor

KSA940TU

Дел Акција: 109330

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1.5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V,

Листа на желби.
MJE5730G
ON Semiconductor

MJE5730G

Дел Акција: 60116

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 300V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Листа на желби.
MJF127G
ON Semiconductor

MJF127G

Дел Акција: 71822

Тип на транзистор: PNP - Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V,

Листа на желби.
NSV1C300ET4G-VF01
ON Semiconductor

NSV1C300ET4G-VF01

Дел Акција: 184012

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

Листа на желби.
MMBT2222AWT1G
ON Semiconductor

MMBT2222AWT1G

Дел Акција: 152799

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.
FJP13007TU
ON Semiconductor

FJP13007TU

Дел Акција: 187511

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 8A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 400V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V,

Листа на желби.
TIP126G
ON Semiconductor

TIP126G

Дел Акција: 103178

Тип на транзистор: PNP - Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 500µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V,

Листа на желби.
NSS20300MR6T1G
ON Semiconductor

NSS20300MR6T1G

Дел Акција: 152698

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V,

Листа на желби.
TIP32AG
ON Semiconductor

TIP32AG

Дел Акција: 140853

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 300µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Листа на желби.
FSB660A
ON Semiconductor

FSB660A

Дел Акција: 156379

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
MMBT3904LT3G
ON Semiconductor

MMBT3904LT3G

Дел Акција: 154147

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 200mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Листа на желби.
NJVMJD112G
ON Semiconductor

NJVMJD112G

Дел Акција: 160646

Тип на транзистор: NPN - Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 20µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

Листа на желби.
D45H11G
ON Semiconductor

D45H11G

Дел Акција: 81457

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 10A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Листа на желби.
TIP31CTU
ON Semiconductor

TIP31CTU

Дел Акција: 109314

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 300µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Листа на желби.
MJB45H11G
ON Semiconductor

MJB45H11G

Дел Акција: 62657

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 10A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Листа на желби.
KSC5021RTU
ON Semiconductor

KSC5021RTU

Дел Акција: 114424

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 500V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V,

Листа на желби.
NJW21193G
ON Semiconductor

NJW21193G

Дел Акција: 26256

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 16A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 250V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V,

Листа на желби.
MJD2955G
ON Semiconductor

MJD2955G

Дел Акција: 114475

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 10A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Листа на желби.
MJW21195G
ON Semiconductor

MJW21195G

Дел Акција: 17586

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 16A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 250V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V,

Листа на желби.
MJW18020G
ON Semiconductor

MJW18020G

Дел Акција: 10336

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 30A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 450V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4A, 20A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 14 @ 3A, 5V,

Листа на желби.
NZT605
ON Semiconductor

NZT605

Дел Акција: 157539

Тип на транзистор: NPN - Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1.5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 110V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V,

Листа на желби.