Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Zener - Single

BZV55B6V2 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B6V2 L0G

Дел Акција: 208

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.2V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 10 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZT55B9V1 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B9V1 L1G

Дел Акција: 210

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 9.1V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 10 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 6.8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZV55C33 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C33 L0G

Дел Акција: 154

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 33V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 24V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT55B10 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B10 L1G

Дел Акција: 253

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 7.5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT55B33 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B33 L1G

Дел Акција: 157

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 33V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 24V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT55C6V8 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C6V8 L0G

Дел Акција: 225

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.8V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 8 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 3V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C27 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C27 RFG

Дел Акција: 202

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 27V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 18.9V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B2V7S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V7S RRG

Дел Акција: 234

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 2.7V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 100 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 18µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C62 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C62 RHG

Дел Акција: 224

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 62V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 215 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 43.4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C36 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C36 RFG

Дел Акција: 200

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 36V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 25.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C3V3S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V3S RRG

Дел Акција: 238

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.3V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 95 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 4.5µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C5V1 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C5V1 RFG

Дел Акција: 181

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 5.1V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 60 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2µA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C16-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C16-G RHG

Дел Акција: 197

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 16V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 11.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B75 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B75 RHG

Дел Акција: 204

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 75V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 255 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 52.5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B36-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B36-G RHG

Дел Акција: 245

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 36V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 410mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 25.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C36S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C36S RRG

Дел Акција: 215

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 36V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 25.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B75S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B75S RRG

Дел Акција: 230

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 75V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 255 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 52.5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C13 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C13 RFG

Дел Акција: 167

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 13V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B10S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B10S RRG

Дел Акција: 254

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 20 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 180nA @ 7V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B6V2S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V2S RRG

Дел Акција: 190

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.2V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 10 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2.7µA @ 4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C43-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C43-G RHG

Дел Акција: 222

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 43V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 100 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 32V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C7V5S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C7V5S RRG

Дел Акција: 189

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 7.5V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 900nA @ 5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C4V7-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V7-G RHG

Дел Акција: 235

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 4.7V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 3µA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C20 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C20 RFG

Дел Акција: 187

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 20V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 55 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 14V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C4V7S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V7S RRG

Дел Акција: 182

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 4.7V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2.7µA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B5V6S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B5V6S RRG

Дел Акција: 173

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 5.6V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 900nA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B11S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B11S RRG

Дел Акција: 229

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 11V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 20 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 90nA @ 8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C68 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C68 RHG

Дел Акција: 192

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 68V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 240 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 47.6V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C30K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C30K RKG

Дел Акција: 172

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 30V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 23V,

Листа на желби.
BZX584B6V8 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B6V8 RSG

Дел Акција: 237

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.8V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 150mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2µA @ 4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C3V6 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C3V6 RFG

Дел Акција: 190

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.6V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C11-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C11-G RHG

Дел Акција: 192

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 11V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 20 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C4V3K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V3K RKG

Дел Акција: 243

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 4.3V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 1V,

Листа на желби.
BZT52C56S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C56S RRG

Дел Акција: 230

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 56V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 200 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 39.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B3V9S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V9S RRG

Дел Акција: 222

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.9V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2.7µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C11 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C11 RHG

Дел Акција: 191

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 11V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 20 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 90nA @ 8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.