Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Zener - Single

BZT52B8V2S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B8V2S RRG

Дел Акција: 179

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 8.2V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 630nA @ 5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C11K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C11K RKG

Дел Акција: 228

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 11V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 20 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 8V,

Листа на желби.
BZT52C3V9K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V9K RKG

Дел Акција: 250

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.9V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 1V,

Листа на желби.
BZT52C33-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C33-G RHG

Дел Акција: 173

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 33V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 23.1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C3V6S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V6S RRG

Дел Акција: 230

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.6V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 4.5µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B36 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B36 RHG

Дел Акција: 260

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 36V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 25.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C36-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C36-G RHG

Дел Акција: 223

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 36V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 25.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B24S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B24S RRG

Дел Акција: 167

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 24V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 70 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 16.8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B4V7 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B4V7 RHG

Дел Акција: 199

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 4.7V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2.7µA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C18 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C18 RHG

Дел Акција: 259

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 18V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 45 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 12.6V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B36S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B36S RRG

Дел Акција: 225

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 36V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 25.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B22S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B22S RRG

Дел Акција: 184

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 22V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 55 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 15.4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C13S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C13S RRG

Дел Акција: 206

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 13V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 90nA @ 8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C16K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C16K RKG

Дел Акција: 265

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 16V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 12V,

Листа на желби.
BZT52C7V5K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C7V5K RKG

Дел Акција: 192

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 7.5V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 4V,

Листа на желби.
BZT52C9V1S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C9V1S RRG

Дел Акција: 253

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 9.1V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 450nA @ 6V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C2V7-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V7-G RHG

Дел Акција: 259

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 2.7V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 100 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 20µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B56 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B56 RHG

Дел Акција: 252

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 56V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 200 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 39.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B13-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B13-G RHG

Дел Акција: 201

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 13V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 410mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C3V3 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V3 RHG

Дел Акција: 264

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.3V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 95 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 4.5µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C47K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C47K RKG

Дел Акција: 226

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 47V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 170 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2µA @ 36V,

Листа на желби.
BZT52C27K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C27K RKG

Дел Акција: 215

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 27V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 21V,

Листа на желби.
BZT52C22 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C22 RHG

Дел Акција: 205

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 22V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 55 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 15.4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C24 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C24 RHG

Дел Акција: 211

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 24V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 70 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 16.8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B12-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B12-G RHG

Дел Акција: 190

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 12V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 410mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 25 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C3V3K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V3K RKG

Дел Акција: 256

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.3V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 95 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 20µA @ 1V,

Листа на желби.
BZT52C13 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C13 RHG

Дел Акција: 182

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 13V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 90nA @ 8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C56 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C56 RHG

Дел Акција: 180

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 56V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 200 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 39.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C4V3S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V3S RRG

Дел Акција: 194

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 4.3V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2.7µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C24 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C24 RFG

Дел Акција: 227

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 24V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 70 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 16.8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B20 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B20 RHG

Дел Акција: 213

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 20V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 55 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 14V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B5V1S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B5V1S RRG

Дел Акција: 251

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 5.1V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 60 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1.8µA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C20 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C20 RHG

Дел Акција: 179

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 20V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 55 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 14V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C8V2-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C8V2-G RHG

Дел Акција: 221

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 8.2V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 700nA @ 5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B2V7 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V7 RHG

Дел Акција: 215

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 2.7V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 100 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 18µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C8V2 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C8V2 RFG

Дел Акција: 265

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 8.2V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 700nA @ 5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.