Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Zener - Single

BZT52C33K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C33K RKG

Дел Акција: 223

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 33V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 25V,

Листа на желби.
BZT52C10-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C10-G RHG

Дел Акција: 182

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 20 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 200nA @ 7V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C2V4 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V4 RHG

Дел Акција: 211

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 2.4V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 100 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B47 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B47 RHG

Дел Акција: 223

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 47V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 170 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 33V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C20K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C20K RKG

Дел Акција: 233

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 20V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 55 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 15V,

Листа на желби.
BZT52B3V0 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V0 RHG

Дел Акција: 245

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 100 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 9µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C9V1K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C9V1K RKG

Дел Акција: 226

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 9.1V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 6V,

Листа на желби.
BZT52C6V2K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V2K RKG

Дел Акција: 174

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.2V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 10 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 3V,

Листа на желби.
BZT52C3V6-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V6-G RHG

Дел Акција: 238

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.6V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B39-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B39-G RHG

Дел Акција: 205

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 39V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 410mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 130 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 27.3V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C30S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C30S RRG

Дел Акција: 247

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 30V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 21V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C2V4-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V4-G RHG

Дел Акција: 222

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 2.4V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 100 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 50µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C18K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C18K RKG

Дел Акција: 208

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 18V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 45 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 13V,

Листа на желби.
BZT52C22-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C22-G RHG

Дел Акција: 241

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 22V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 55 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 15.4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B11-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B11-G RHG

Дел Акција: 200

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 11V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 410mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 20 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C3V3-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V3-G RHG

Дел Акција: 248

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.3V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 95 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C22 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C22 RFG

Дел Акција: 251

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 22V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 55 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 15.4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B2V4-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V4-G RHG

Дел Акција: 214

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 2.4V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 410mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 100 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 50µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C6V8 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V8 RHG

Дел Акција: 204

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.8V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1.8µA @ 4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C62K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C62K RKG

Дел Акција: 180

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 62V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 215 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 200nA @ 47V,

Листа на желби.
BZX84C2V7 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C2V7 RFG

Дел Акција: 209

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 2.7V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 100 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 20µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B18S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B18S RRG

Дел Акција: 253

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 18V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 45 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 12.6V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C8V2K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C8V2K RKG

Дел Акција: 195

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 8.2V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 5V,

Листа на желби.
BZT52C24K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C24K RKG

Дел Акција: 250

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 24V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 70 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 19V,

Листа на желби.
BZT52B4V7S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B4V7S RRG

Дел Акција: 234

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 4.7V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2.7µA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C6V8K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V8K RKG

Дел Акција: 241

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.8V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 3.5V,

Листа на желби.
BZT52B33-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B33-G RHG

Дел Акција: 216

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 33V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 410mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 23.1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C39-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C39-G RHG

Дел Акција: 235

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 39V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 130 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 27.3V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B20-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B20-G RHG

Дел Акција: 249

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 20V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 410mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 55 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 14V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C4V7 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C4V7 RFG

Дел Акција: 263

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 4.7V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 3µA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B39S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B39S RRG

Дел Акција: 198

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 39V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 130 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 27.3V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C13-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C13-G RHG

Дел Акција: 171

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 13V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C20-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C20-G RHG

Дел Акција: 233

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 20V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 55 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 14V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C5V6-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V6-G RHG

Дел Акција: 186

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 5.6V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B15S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B15S RRG

Дел Акција: 255

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 15V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 10.5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B33S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B33S RRG

Дел Акција: 220

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 33V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 23V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.