Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Zener - Single

BZX84C11 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C11 RFG

Дел Акција: 250

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 11V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 20 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C62S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C62S RRG

Дел Акција: 180

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 62V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 215 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 43.4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B62S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B62S RRG

Дел Акција: 209

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 62V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 215 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 43.4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C3V6K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V6K RKG

Дел Акција: 257

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.6V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 1V,

Листа на желби.
BZT52C2V4S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V4S RRG

Дел Акција: 177

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 2.4V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 100 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B30 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B30 RHG

Дел Акција: 169

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 30V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 21V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C36K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C36K RKG

Дел Акција: 204

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 36V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 27V,

Листа на желби.
BZT52C43 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C43 RHG

Дел Акција: 241

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 43V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 150 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 30.1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C7V5 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C7V5 RFG

Дел Акција: 238

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 7.5V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C18 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C18 RFG

Дел Акција: 179

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 18V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 45 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 12.6V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B16-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B16-G RHG

Дел Акција: 214

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 16V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 410mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 11.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZX584B5V6 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B5V6 RSG

Дел Акција: 193

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 5.6V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 150mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C75K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C75K RKG

Дел Акција: 230

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 75V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 255 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 200nA @ 57V,

Листа на желби.
BZT52C68K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C68K RKG

Дел Акција: 180

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 68V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 240 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 200nA @ 52V,

Листа на желби.
BZT52B7V5S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B7V5S RRG

Дел Акција: 234

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 7.5V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 900nA @ 5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZX584B6V2 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B6V2 RSG

Дел Акција: 210

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.2V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 150mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 10 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 3µA @ 4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C5V6K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V6K RKG

Дел Акција: 171

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 5.6V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 2.5V,

Листа на желби.
BZT52B47S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B47S RRG

Дел Акција: 248

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 47V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 170 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 33V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B6V8-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V8-G RHG

Дел Акција: 247

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.8V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 410mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2µA @ 4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C15 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C15 RFG

Дел Акција: 194

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 15V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 10.5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C47S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C47S RRG

Дел Акција: 176

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 47V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 170 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 33V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B2V4S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V4S RRG

Дел Акција: 195

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 2.4V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 100 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZD27C24P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C24P RQG

Дел Акција: 225

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 24.2V, Толеранција: ±5.78%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 18V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C220P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C220P RQG

Дел Акција: 203

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 220.5V, Толеранција: ±5.66%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 900 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 160V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C68PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C68PHRQG

Дел Акција: 179

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 68V, Толеранција: ±5.88%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 51V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD17C12P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C12P RQG

Дел Акција: 266

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 12V, Толеранција: ±5.41%, Моќност - Макс: 800mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 7 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 3µA @ 9.1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C13PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C13PHRQG

Дел Акција: 242

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 13.25V, Толеранција: ±6.41%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 10 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2µA @ 10V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C43P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C43P RQG

Дел Акција: 197

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 43V, Толеранција: ±6.97%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 45 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 33V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C20PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C20PHRQG

Дел Акција: 268

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 20V, Толеранција: ±6%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 15V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C100P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C100P RQG

Дел Акција: 173

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 100V, Толеранција: ±6%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 200 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 75V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C180P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C180P RQG

Дел Акција: 221

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 179.5V, Толеранција: ±6.4%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 450 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 130V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD17C18P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C18P RQG

Дел Акција: 257

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 18V, Толеранција: ±6.38%, Моќност - Макс: 800mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 13V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C39P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C39P RQG

Дел Акција: 239

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 39V, Толеранција: ±5.12%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 30V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C27P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C27P RQG

Дел Акција: 245

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 27V, Толеранција: ±7.03%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 20V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C62P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C62P RQG

Дел Акција: 265

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 62V, Толеранција: ±6.45%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 47V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C91PHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C91PHRHG

Дел Акција: 264

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 90.5V, Толеранција: ±6.07%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 200 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 68V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.