Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Zener - Single

BZT52B7V5-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B7V5-G RHG

Дел Акција: 200

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 7.5V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 410mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C10K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C10K RKG

Дел Акција: 189

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 20 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 7V,

Листа на желби.
BZT52B30S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B30S RRG

Дел Акција: 262

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 30V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 21V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C6V2 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C6V2 RFG

Дел Акција: 191

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.2V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 10 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 3µA @ 4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C16 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C16 RHG

Дел Акција: 215

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 16V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 11.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B6V8 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V8 RHG

Дел Акција: 178

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.8V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1.8µA @ 4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B51S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B51S RRG

Дел Акција: 169

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 51V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 180 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 35.7V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C75S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C75S RRG

Дел Акција: 261

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 75V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 255 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 52.5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZX584B9V1 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B9V1 RSG

Дел Акција: 212

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 9.1V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 150mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 6V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C56K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C56K RKG

Дел Акција: 211

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 56V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 200 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 43V,

Листа на желби.
BZT52B43-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B43-G RHG

Дел Акција: 175

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 43V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 410mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 130 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 29.4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C36 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C36 RHG

Дел Акција: 228

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 36V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 25.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B27-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B27-G RHG

Дел Акција: 203

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 27V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 410mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 18.9V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B24 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B24 RHG

Дел Акција: 198

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 24V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 70 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 16.8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C5V6S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V6S RRG

Дел Акција: 266

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 5.6V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 900nA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C5V1K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V1K RKG

Дел Акција: 181

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 5.1V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 60 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2µA @ 1.5V,

Листа на желби.
BZT52B13S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B13S RRG

Дел Акција: 169

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 13V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 90nA @ 8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B4V3 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B4V3 RHG

Дел Акција: 207

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 4.3V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2.7µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C22S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C22S RRG

Дел Акција: 189

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 22V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 55 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 15.4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C39 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C39 RFG

Дел Акција: 187

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 39V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 130 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 27.3V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B3V6S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V6S RRG

Дел Акција: 230

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.6V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 4.5µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C12-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C12-G RHG

Дел Акција: 180

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 12V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 25 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C33S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C33S RRG

Дел Акција: 266

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 33V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 23V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C33 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C33 RFG

Дел Акција: 219

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 33V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 23.1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZX84C3V9 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C3V9 RFG

Дел Акција: 223

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.9V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 300mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 3µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B16S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B16S RRG

Дел Акција: 180

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 16V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 11.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B5V1-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B5V1-G RHG

Дел Акција: 175

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 5.1V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 410mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 60 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2µA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B27S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B27S RRG

Дел Акција: 178

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 27V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 18.9V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C43S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C43S RRG

Дел Акција: 259

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 43V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 150 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 30.1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B15-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B15-G RHG

Дел Акција: 214

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 15V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 410mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 10.5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C24-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C24-G RHG

Дел Акција: 183

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 24V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 70 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 16.8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C27-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C27-G RHG

Дел Акција: 198

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 27V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 350mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 18.9V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52B43S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B43S RRG

Дел Акција: 167

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 43V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 200mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 150 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 45nA @ 30.1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C4V7 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V7 RHG

Дел Акција: 174

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 4.7V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2.7µA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C3V9 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V9 RHG

Дел Акција: 205

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.9V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2.7µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT52C2V7 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V7 RHG

Дел Акција: 185

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 2.7V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 100 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 18µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.