Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Дома
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Vishay Siliconix

SI5857DU-T1-E3

Дел Акција: 494

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI5858DU-T1-E3

Дел Акција: 405

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI1022R-T1-E3

Дел Акција: 6114

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 330mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI7459DP-T1-E3

Дел Акција: 6127

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 22A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI1056X-T1-E3

Дел Акција: 463

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89 mOhm @ 1.32A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI7138DP-T1-E3

Дел Акција: 406

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 19.7A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SIE822DF-T1-E3

Дел Акција: 51934

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI4480DY-T1-E3

Дел Акција: 464

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI3499DV-T1-E3

Дел Акција: 449

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 8V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI4620DY-T1-E3

Дел Акција: 190266

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Ta), 7.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI4840DY-T1-E3

Дел Акција: 448

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI8415DB-T1-E1

Дел Акција: 6053

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 12V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 1A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI8402DB-T1-E1

Дел Акција: 492

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 1A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI7136DP-T1-E3

Дел Акција: 460

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

SI3457BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3457BDV-T1-E3

Дел Акција: 467

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SIA810DJ-T1-E3

Дел Акција: 499

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SIE832DF-T1-E3

Дел Акција: 43984

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 14A, 10V,

Листа на желби.

IRFS9N60ATRRPBF

Vishay Siliconix

IRFS9N60ATRRPBF

Дел Акција: 34226

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

Листа на желби.

SI1304BDL-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1304BDL-T1-E3

Дел Акција: 433

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 900mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 900mA, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI4336DY-T1-E3

Дел Акција: 464

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 17A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

SI7403BDN-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7403BDN-T1-E3

Дел Акција: 6130

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

TP0101K-T1-E3

Дел Акција: 454

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 580mA, 4.5V,

Листа на желби.

SUM36N20-54P-E3

Vishay Siliconix

SUM36N20-54P-E3

Дел Акција: 482

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 36A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 20A, 15V,

Листа на желби.

SI3446ADV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3446ADV-T1-E3

Дел Акција: 467

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI5406DC-T1-E3

Дел Акција: 420

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 12V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.9A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 4.5V,

Листа на желби.

SI6435ADQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6435ADQ-T1-E3

Дел Акција: 466

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI3434DV-T1-E3

Дел Акција: 418

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

TP0202K-T1-E3

Дел Акција: 486

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 385mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI1472DH-T1-E3

Дел Акција: 475

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4.2A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI4642DY-T1-E3

Дел Акција: 407

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 34A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI5486DU-T1-E3

Дел Акција: 477

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.7A, 4.5V,

Листа на желби.

SI6463BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6463BDQ-T1-E3

Дел Акција: 416

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V,

Листа на желби.

SUM18N25-165-E3

Vishay Siliconix

SUM18N25-165-E3

Дел Акција: 6102

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 14A, 10V,

Листа на желби.

SI3456BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3456BDV-T1-E3

Дел Акција: 393

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI1305DL-T1-E3

Дел Акција: 408

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 8V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 860mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SUM40N15-38-E3

Дел Акција: 51855

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

3600

«
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
»