Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Дома
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Vishay Siliconix

SI4825DY-T1-E3

Дел Акција: 432

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11.5A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFRC20PBF

Дел Акција: 72548

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

Листа на желби.

SI2303BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2303BDS-T1-E3

Дел Акција: 464

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.49A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.7A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI4876DY-T1-E3

Дел Акција: 447

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 21A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI4466DY-T1-E3

Дел Акција: 396

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI5484DU-T1-E3

Дел Акција: 492

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7.6A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI3475DV-T1-E3

Дел Акција: 6120

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 950mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.61 Ohm @ 900mA, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI8404DB-T1-E1

Дел Акција: 488

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 8V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12.2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 1A, 4.5V,

Листа на желби.

SI4435DDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4435DDY-T1-E3

Дел Акција: 165891

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11.4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9.1A, 10V,

Листа на желби.

SI4850EY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4850EY-T1-GE3

Дел Акција: 107397

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6A, 10V,

Листа на желби.

SI4401FDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4401FDY-T1-GE3

Дел Акција: 16596

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.9A (Ta), 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

SI4483ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4483ADY-T1-GE3

Дел Акција: 135861

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 19.2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFL110TRPBF

Дел Акција: 195752

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 900mA, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRF540PBF

Дел Акција: 38777

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 28A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 17A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRLU014PBF

Дел Акција: 69107

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRF520PBF

Дел Акција: 69178

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 10V,

Листа на желби.

SI4435FDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4435FDY-T1-GE3

Дел Акција: 16600

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12.6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 10V,

Листа на желби.

SI4463CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4463CDY-T1-GE3

Дел Акција: 176137

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13.6A (Ta), 49A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V,

Листа на желби.

SI4465ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4465ADY-T1-GE3

Дел Акција: 78275

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 8V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 4.5V,

Листа на желби.

SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI9407BDY-T1-GE3

Дел Акција: 191332

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.2A, 10V,

Листа на желби.

SI4427BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4427BDY-T1-E3

Дел Акција: 134797

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 12.6A, 10V,

Листа на желби.

SI4477DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4477DY-T1-GE3

Дел Акција: 113273

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 26.6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V,

Листа на желби.

SI4403CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4403CDY-T1-GE3

Дел Акција: 119611

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13.4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFL014TRPBF

Дел Акција: 96397

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.6A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRF530PBF

Дел Акција: 66592

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 8.4A, 10V,

Листа на желби.

SI4154DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4154DY-T1-GE3

Дел Акција: 110650

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 36A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFD210PBF

Дел Акција: 72598

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 360mA, 10V,

Листа на желби.

SQD50N04-5M6_T4GE3

Vishay Siliconix

SQD50N04-5M6_T4GE3

Дел Акција: 16520

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

SI4894BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4894BDY-T1-E3

Дел Акција: 125168

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.9A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.

SI4848ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4848ADY-T1-GE3

Дел Акција: 16523

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 3.9A, 10V,

Листа на желби.

SIHB24N65EF-GE3

Vishay Siliconix

SIHB24N65EF-GE3

Дел Акција: 11106

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFD024PBF

Дел Акција: 56811

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.

SIHG050N60E-GE3

Vishay Siliconix

SIHG050N60E-GE3

Дел Акција: 9747

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 51A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 23A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SIHD12N50E-GE3

Дел Акција: 37002

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 550V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

Листа на желби.

SQM120N06-3M5L_GE3

Vishay Siliconix

SQM120N06-3M5L_GE3

Дел Акција: 35073

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 29A, 10V,

Листа на желби.

SIHG47N60EF-GE3

Vishay Siliconix

SIHG47N60EF-GE3

Дел Акција: 6708

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 47A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 24A, 10V,

Листа на желби.

3600

«
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
»