Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
20ETS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08FP

Дел Акција: 105

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 20A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
20ETS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12FP

Дел Акција: 5069

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 20A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
20ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06FP

Дел Акција: 26

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 160ns,

Листа на желби.
20ETF04FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04FP

Дел Акција: 116

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 160ns,

Листа на желби.
20ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02FP

Дел Акција: 49

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 160ns,

Листа на желби.
20ETF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10

Дел Акција: 31

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.31V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 400ns,

Листа на желби.
20ETF08
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08

Дел Акција: 115

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.31V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 400ns,

Листа на желби.
20ETF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06

Дел Акција: 56

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 160ns,

Листа на желби.
20ETF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04

Дел Акција: 79

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 160ns,

Листа на желби.
20ETF02
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02

Дел Акција: 38

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 160ns,

Листа на желби.
20ETF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF12S

Дел Акција: 75

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.31V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 400ns,

Листа на желби.
20ETF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06S

Дел Акција: 10053

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 160ns,

Листа на желби.
20ETF08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08S

Дел Акција: 10001

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.31V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 400ns,

Листа на желби.
20ETF04S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04S

Дел Акција: 10053

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 160ns,

Листа на желби.
20ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10S

Дел Акција: 10015

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.31V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 400ns,

Листа на желби.
20ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08STRL

Дел Акција: 5086

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 20A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
245NQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

245NQ015

Дел Акција: 10043

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 15V, Тековна - Просечна исправена (Io): 240A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 400mV @ 240A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
20ETS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12

Дел Акција: 5060

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 20A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
20ETS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12S

Дел Акција: 10050

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 20A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
20ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08S

Дел Акција: 9995

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 20A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
20ETF02S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02S

Дел Акција: 9988

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 160ns,

Листа на желби.
301UR80
Vishay Semiconductor Diodes Division

301UR80

Дел Акција: 1468

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 330A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.22V @ 942A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
31GF6-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/73

Дел Акција: 107592

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.
31GF4-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/54

Дел Акција: 111138

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.
31GF4-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/73

Дел Акција: 170598

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.
31GF6-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/73

Дел Акција: 162083

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.
31GF4-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/73

Дел Акција: 119879

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.
31GF6-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/54

Дел Акција: 151354

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.
31GF4-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/54

Дел Акција: 146657

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.
31GF6-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/54

Дел Акција: 110475

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.
30HFU-100
Vishay Semiconductor Diodes Division

30HFU-100

Дел Акција: 1057

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.45V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 80ns,

Листа на желби.
30ETH06
Vishay Semiconductor Diodes Division

30ETH06

Дел Акција: 212

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.6V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
30EPH06
Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPH06

Дел Акција: 243

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.6V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
30EPH03
Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPH03

Дел Акција: 213

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 55ns,

Листа на желби.
30WQ10FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ10FNTRR

Дел Акција: 102

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 810mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
30WQ06FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ06FNTRL

Дел Акција: 115

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 610mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.