Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
8ETX06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETX06STRR

Дел Акција: 254

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 24ns,

Листа на желби.
8ETX06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETX06-1

Дел Акција: 208

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 24ns,

Листа на желби.
8ETX06
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETX06

Дел Акција: 211

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 24ns,

Листа на желби.
8ETL06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETL06FP

Дел Акција: 5043

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.
8ETL06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETL06-1

Дел Акција: 239

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.
8ETL06
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETL06

Дел Акција: 254

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.
8EWS16S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS16S

Дел Акција: 167

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
8EWS16STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS16STRL

Дел Акција: 212

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
8EWS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRR

Дел Акција: 190

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
8ETH06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH06S

Дел Акција: 159

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.4V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
8ETH06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH06-1

Дел Акција: 211

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.4V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
8ETH06
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH06

Дел Акција: 220

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.4V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
8ETH03
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH03

Дел Акција: 212

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
8ETH03S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH03S

Дел Акција: 235

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
8ETH03-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETH03-1

Дел Акција: 193

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
8ETU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04S

Дел Акција: 171

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 60ns,

Листа на желби.
8ETU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04

Дел Акција: 150

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 60ns,

Листа на желби.
8TQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100STRL

Дел Акција: 128

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
8TQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRR

Дел Акција: 5547

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
8TQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRL

Дел Акција: 144

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
8EWS10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10STRL

Дел Акција: 184

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
8EWS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS12STRL

Дел Акција: 175

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
8EWS10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10S

Дел Акција: 175

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
8EWS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRL

Дел Акција: 126

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
8EWS08STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STR

Дел Акција: 197

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
8EWF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10STRL

Дел Акција: 5071

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 270ns,

Листа на желби.
8EWF12STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12STR

Дел Акција: 126

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 270ns,

Листа на желби.
8EWF06STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STR

Дел Акција: 142

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 140ns,

Листа на желби.
8EWF06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STRR

Дел Акција: 182

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 140ns,

Листа на желби.
8EWF04STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRR

Дел Акција: 133

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 140ns,

Листа на желби.
8EWF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRL

Дел Акција: 164

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 140ns,

Листа на желби.
8EWF02STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STR

Дел Акција: 174

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 140ns,

Листа на желби.
8EWF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STRL

Дел Акција: 100

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 140ns,

Листа на желби.
8AF4NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF4NPP

Дел Акција: 131

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 50A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
8AF1RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF1RPP

Дел Акција: 115

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 50A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
8AF05RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05RPP

Дел Акција: 5075

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 50A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.