Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
BYD13JGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13JGPHE3/54

Дел Акција: 137355

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYD33GGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33GGPHE3/73

Дел Акција: 151087

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
BYD33DGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33DGPHE3/73

Дел Акција: 184874

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
BYD13GGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13GGPHE3/54

Дел Акција: 190156

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B350B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B350B-M3/52T

Дел Акција: 139244

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B350B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B350B-M3/5BT

Дел Акција: 197970

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B360B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-M3/5BT

Дел Акција: 136964

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B350B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B350B-E3/5BT

Дел Акција: 155454

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B340LB-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-M3/5BT

Дел Акција: 117139

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B340LB-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-M3/52T

Дел Акција: 100390

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B340LB-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/5BT

Дел Акција: 166310

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B360B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-M3/52T

Дел Акција: 112521

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B350B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B350B-E3/52T

Дел Акција: 138727

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BY133GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY133GPHE3/54

Дел Акција: 172848

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 2A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.
BY227MGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY227MGPHE3/54

Дел Акција: 106867

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1250V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.
BYD13JGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13JGPHE3/73

Дел Акција: 171332

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.
BYD13DGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13DGPHE3/54

Дел Акција: 182970

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYD13MGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13MGPHE3/73

Дел Акција: 173344

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.
BYD13KGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13KGPHE3/73

Дел Акција: 133090

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.
BYM10-400/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-400/1

Дел Акција: 169666

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYM10-1000/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-1000/1

Дел Акција: 121583

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYS12-90-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS12-90-E3/TR3

Дел Акција: 114313

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B330LA-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B330LA-M3/5AT

Дел Акција: 157528

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYS12-90HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS12-90HE3_A/H

Дел Акција: 116

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B360A-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360A-E3/5AT

Дел Акција: 170108

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B120-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B120-E3/5AT

Дел Акција: 168339

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 520mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYS11-90-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS11-90-E3/TR

Дел Акција: 105664

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B150-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B150-E3/5AT

Дел Акција: 183918

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B330LA-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B330LA-E3/5AT

Дел Акција: 125346

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B330LA-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B330LA-M3/61T

Дел Акција: 123661

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B230LA-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B230LA-M3/5AT

Дел Акција: 181769

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B340A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340A-M3/5AT

Дел Акција: 149757

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYS10-45-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-M3/TR3

Дел Акција: 100846

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYS10-35-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35-M3/TR

Дел Акција: 138959

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYS12-90-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS12-90-E3/TR

Дел Акција: 199414

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B360A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360A-M3/5AT

Дел Акција: 186299

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.