Diodes - Rectifiers - Single

Дома
Diodes - Rectifiers - Single

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TR

Дел Акција: 173494

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 300ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW56-TR

Дел Акција: 187466

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52J-TR

Дел Акција: 191673

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TR

Дел Акција: 172184

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 20µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW53-TAP

Дел Акција: 190341

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TR

Дел Акција: 147603

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-100-TAP

Дел Акција: 123328

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.07V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW34-TR

Дел Акција: 188604

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TAP

Дел Акција: 191488

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW54-TAP

Дел Акција: 168015

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STR

Дел Акција: 146211

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.4V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 300ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26A-TR

Дел Акција: 159673

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TR

Дел Акција: 150205

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53D-TR

Дел Акција: 133955

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.9A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW52-TR

Дел Акција: 120246

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TR

Дел Акција: 129638

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.9A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52G-TR

Дел Акција: 101825

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TR

Дел Акција: 136092

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.9A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TAP

Дел Акција: 171145

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TR

Дел Акција: 122323

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TR

Дел Акција: 171100

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-16STR

Дел Акција: 198364

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.4V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 300ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52J-TAP

Дел Акција: 189810

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TR

Дел Акција: 113210

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54J-TR

Дел Акција: 120006

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 100ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TAP

Дел Акција: 148264

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52D-TR

Дел Акција: 180394

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TR

Дел Акција: 176295

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52G-TAP

Дел Акција: 172719

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53G-TAP

Дел Акција: 186525

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.9A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV14-TAP

Дел Акција: 133078

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 300ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV15-TR

Дел Акција: 148751

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 300ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52B-TAP

Дел Акција: 190774

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TR

Дел Акција: 190671

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW54-TR

Дел Акција: 150177

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW53-TR

Дел Акција: 100202

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.

3600

«
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
»