Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
BY268TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY268TAP

Дел Акција: 122912

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 400mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 400ns,

Листа на желби.
BYV27-050-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-050-TR

Дел Акција: 170832

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 55V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.07V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYT51D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TR

Дел Акција: 169988

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYT62-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TR

Дел Акција: 158535

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 2400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 350mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 3.6V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 5µs,

Листа на желби.
BYV12-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TAP

Дел Акција: 133807

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 300ns,

Листа на желби.
BYV37-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV37-TR

Дел Акција: 166239

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 300ns,

Листа на желби.
BYT53A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53A-TAP

Дел Акција: 162849

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.9A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYT54M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TR

Дел Акција: 154344

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 100ns,

Листа на желби.
BY448TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TAP

Дел Акција: 127685

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.
BYX83TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TAP

Дел Акција: 178566

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYT52A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TAP

Дел Акција: 107418

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
BYT51B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TAP

Дел Акција: 155091

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYT53F-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TAP

Дел Акција: 140893

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.9A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYT51J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TR

Дел Акција: 113210

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYT54K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54K-TR

Дел Акција: 120137

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 100ns,

Листа на желби.
BYX83TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TR

Дел Акција: 176417

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYT53B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TR

Дел Акција: 161256

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.9A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYX84TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TR

Дел Акција: 147051

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYT53C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TAP

Дел Акција: 127986

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.9A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYT52M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TR

Дел Акција: 178212

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
BYT54D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54D-TR

Дел Акција: 142835

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 100ns,

Листа на желби.
BYV12-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TR

Дел Акција: 156566

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 300ns,

Листа на желби.
BYT53B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TAP

Дел Акција: 198030

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.9A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BY527TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TR

Дел Акција: 197736

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.65V @ 10A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BY458TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TR

Дел Акција: 132572

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.
BY203-12STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STAP

Дел Акција: 198779

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.4V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 300ns,

Листа на желби.
BYW35-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW35-TR

Дел Акција: 168310

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
BYX84TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TAP

Дел Акција: 129025

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYT51A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TAP

Дел Акција: 197129

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYT51M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TAP

Дел Акција: 143955

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BY527TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TAP

Дел Акција: 135313

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.65V @ 10A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYT51G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51G-TAP

Дел Акција: 191378

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYV13-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TAP

Дел Акција: 199601

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 300ns,

Листа на желби.
BYX82TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TAP

Дел Акција: 116196

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYM12-300-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300-E3/96

Дел Акција: 143123

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYM12-400HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400HE3_A/I

Дел Акција: 205

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.