Diodes - Rectifiers - Single | Discrete Semiconductor Products | 100

BYG10Y-E3/TR3

Дел Акција: 119874

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHE3_A/H

Дел Акција: 198448

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHM3_A/I

Дел Акција: 152155

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 120ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-E3/TR3

Дел Акција: 158166

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-E3-18

Дел Акција: 197367

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-G3-08

Дел Акција: 194835

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-G3-18

Дел Акција: 113942

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 75V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 6ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-G3-08

Дел Акција: 120561

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 70V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-HE3-18

Дел Акција: 114352

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-G3-08

Дел Акција: 158404

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-G3-18

Дел Акција: 129535

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 250mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-G3-18

Дел Акција: 111296

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 50mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-G3-18

Дел Акција: 199754

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-HE3-08

Дел Акција: 117566

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-G3-18

Дел Акција: 138262

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HG3-18

Дел Акција: 325

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-G3-08

Дел Акција: 139086

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 50mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-E3-18

Дел Акција: 148789

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 50mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-HE3-18

Дел Акција: 107239

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-G3-18

Дел Акција: 140508

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-HE3-08

Дел Акција: 148285

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 75V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 6ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-HE3-08

Дел Акција: 133467

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 250mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-E3-18

Дел Акција: 128129

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-18

Дел Акција: 115332

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-G3-18

Дел Акција: 155536

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 50mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-G3-18

Дел Акција: 174272

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 70V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-HE3-18

Дел Акција: 190986

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-HE3-18

Дел Акција: 132335

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-E3-18

Дел Акција: 163202

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-E3-08

Дел Акција: 163559

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-G3-08

Дел Акција: 185224

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-E3-08

Дел Акција: 141866

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-E3-18

Дел Акција: 146436

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 75V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 6ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-E3-18

Дел Акција: 197062

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-G3-08

Дел Акција: 176953

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HG3-08

Дел Акција: 367

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.