Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
BAT43WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-E3-18

Дел Акција: 102179

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.
BAV20WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-18

Дел Акција: 173731

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAS16WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-E3-18

Дел Акција: 189318

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 75V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 6ns,

Листа на желби.
BAV19W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-HE3-18

Дел Акција: 190225

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAS386-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS386-TR

Дел Акција: 129725

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAS386-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS386-TR3

Дел Акција: 101405

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAV301-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV301-TR3

Дел Акција: 162148

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAV303-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV303-TR3

Дел Акција: 133566

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAQ333-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR3

Дел Акција: 100523

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAS382-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS382-TR

Дел Акција: 126194

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAS385-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS385-TR

Дел Акција: 157417

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAS381-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS381-TR3

Дел Акција: 156476

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAS385-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS385-TR3

Дел Акција: 154114

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAV300-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV300-TR

Дел Акција: 181840

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAV303-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV303-TR

Дел Акција: 144669

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAS382-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS382-TR3

Дел Акција: 133482

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAQ334-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ334-TR3

Дел Акција: 175005

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAS383-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS383-TR

Дел Акција: 130859

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAV302-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR3

Дел Акција: 124655

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAS383-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS383-TR3

Дел Акција: 155909

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAV300-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV300-TR3

Дел Акција: 153770

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAS381-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS381-TR

Дел Акција: 152369

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAQ335-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ335-TR3

Дел Акција: 119211

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 125V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BY127MGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY127MGPHE3/54

Дел Акција: 127537

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1250V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.75A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.
BYD13GGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13GGPHE3/73

Дел Акција: 192350

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.
BYM07-200/32
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-200/32

Дел Акција: 142220

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYW83TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW83TAP

Дел Акција: 197438

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 7.5µs,

Листа на желби.
BYV28-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-150-TAP

Дел Акција: 158574

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.
BYT56A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56A-TR

Дел Акција: 105112

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 100ns,

Листа на желби.
BYV98-100-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-100-TAP

Дел Акција: 183546

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
BYT56K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56K-TAP

Дел Акција: 193746

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 100ns,

Листа на желби.
BYT56J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56J-TR

Дел Акција: 197463

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 100ns,

Листа на желби.
BYW75TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW75TAP

Дел Акција: 190284

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
BYW172G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172G-TAP

Дел Акција: 180370

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 100ns,

Листа на желби.
BY228GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228GP-E3/54

Дел Акција: 135951

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 2.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.
BYW172D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172D-TR

Дел Акција: 186840

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 100ns,

Листа на желби.