Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
BA159GPEHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159GPEHE3/53

Дел Акција: 1971

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
BY500-100-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY500-100-E3/54

Дел Акција: 1869

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
BY255GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255GP-E3/73

Дел Акција: 1787

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.
BYM13-20-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-20-E3/96

Дел Акција: 196201

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYM10-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-200-E3/96

Дел Акција: 123813

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYM11-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-200-E3/96

Дел Акција: 195407

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
BYM13-50-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-50-E3/96

Дел Акција: 177183

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYM10-50-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-50-E3/96

Дел Акција: 113403

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYM13-30-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-30-E3/96

Дел Акција: 123505

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYG22DHE3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHE3/TR

Дел Акција: 1644

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BY500-400-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY500-400-E3/54

Дел Акција: 1651

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
BY500-800-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY500-800-E3/54

Дел Акција: 1682

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
BY399P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY399P-E3/54

Дел Акција: 1643

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
BY500-600-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY500-600-E3/54

Дел Акција: 1568

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
BY255GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255GP-E3/54

Дел Акција: 1567

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.
BYG22A-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-E3/TR

Дел Акција: 189714

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYS10-45-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-E3/TR

Дел Акција: 154951

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B330LA-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B330LA-E3/61T

Дел Акција: 133570

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYW29-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW29-50HE3/45

Дел Акција: 132912

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYW29-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW29-200HE3/45

Дел Акција: 132842

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYV29-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29-400HE3/45

Дел Акција: 119289

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYW29-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW29-100HE3/45

Дел Акција: 132891

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYS459F-1500E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459F-1500E3/45

Дел Акција: 1390

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 6.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 350ns,

Листа на желби.
BYS459F-1500SE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459F-1500SE3/45

Дел Акција: 1473

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 6.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 220ns,

Листа на желби.
BYS459B-1500E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459B-1500E3/45

Дел Акција: 1384

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 6.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 350ns,

Листа на желби.
BYS459B-1500SE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459B-1500SE3/45

Дел Акција: 1472

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 6.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 220ns,

Листа на желби.
BYS459-1500SE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459-1500SE3/45

Дел Акција: 5172

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 6.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 220ns,

Листа на желби.
BYS459-1500-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459-1500-E3/45

Дел Акција: 5157

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 6.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 350ns,

Листа на желби.
BY229X-800-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229X-800-E3/45

Дел Акција: 1465

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.85V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Листа на желби.
BY229X-600HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229X-600HE3/45

Дел Акција: 1435

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.85V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Листа на желби.
BY229X-600-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229X-600-E3/45

Дел Акција: 1369

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.85V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Листа на желби.
BY229X-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229X-400-E3/45

Дел Акција: 1462

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.85V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Листа на желби.
BY229X-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229X-400HE3/45

Дел Акција: 1404

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.85V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Листа на желби.
BY229X-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229X-200HE3/45

Дел Акција: 5170

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.85V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Листа на желби.
BY229B-800HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-800HE3/45

Дел Акција: 1394

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.85V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Листа на желби.
BY229X-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229X-200-E3/45

Дел Акција: 1445

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.85V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Листа на желби.