Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
BYX10GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX10GPHE3/54

Дел Акција: 1176

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 360mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 2A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.
BYM07-200HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-200HE3/83

Дел Акција: 1199

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYD13JGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13JGP-E3/54

Дел Акција: 1159

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.
BYD13KGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13KGP-E3/54

Дел Акција: 1195

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.
BY255GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255GPHE3/54

Дел Акција: 1146

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.
BY134GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY134GPHE3/54

Дел Акција: 1225

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 2A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.
BYV26EGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26EGPHE3/73

Дел Акција: 1202

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
BYV26DGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26DGPHE3/73

Дел Акција: 5173

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
BYW27-400GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-400GPHE3/54

Дел Акција: 5134

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.
BYW27-200GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-200GPHE3/54

Дел Акција: 1007

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.
BYV26DGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26DGPHE3/54

Дел Акција: 1035

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
BYV26EGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26EGPHE3/54

Дел Акција: 5119

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
BYS459B-1500SE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459B-1500SE3/81

Дел Акција: 995

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 6.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 220ns,

Листа на желби.
BYS459B-1500E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459B-1500E3/81

Дел Акција: 956

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 6.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 350ns,

Листа на желби.
BYS11-90HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS11-90HE3/TR3

Дел Акција: 1024

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYS12-90HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS12-90HE3/TR3

Дел Акција: 954

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYS10-45HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3/TR3

Дел Акција: 1013

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYS10-35HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3/TR3

Дел Акција: 5156

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYS10-25HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25HE3/TR3

Дел Акција: 979

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 25V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYM12-400HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400HE3/97

Дел Акција: 5156

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYM12-50HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-50HE3/97

Дел Акција: 1042

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYM12-200HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200HE3/97

Дел Акција: 973

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYM12-300HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300HE3/97

Дел Акција: 971

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYM12-150HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-150HE3/97

Дел Акција: 1001

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYM12-100HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-100HE3/97

Дел Акција: 5130

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYM11-800HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-800HE3/97

Дел Акција: 5150

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
BYM11-1000HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-1000HE3/97

Дел Акција: 5194

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
BYM07-50HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-50HE3/83

Дел Акција: 947

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYM07-400HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-400HE3/83

Дел Акција: 968

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYM07-300HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-300HE3/83

Дел Акција: 1015

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYD33MGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33MGP-E3/54

Дел Акција: 5173

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 300ns,

Листа на желби.
BYD33KGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33KGP-E3/54

Дел Акција: 1008

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 300ns,

Листа на желби.
BYD33GGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33GGP-E3/54

Дел Акција: 963

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
BYD33JGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33JGP-E3/54

Дел Акција: 977

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.
BYD33DGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33DGP-E3/54

Дел Акција: 945

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
BYD13MGP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13MGP-E3/54

Дел Акција: 952

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.