Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
BYG10YHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHE3_A/H

Дел Акција: 17865

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYG10J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-E3/TR

Дел Акција: 149622

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BY252P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY252P-E3/54

Дел Акција: 145929

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.
BY253P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253P-E3/54

Дел Акција: 127396

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.
BAV19W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-E3-08

Дел Акција: 102442

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BA159-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159-E3/73

Дел Акција: 135265

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
BAS70-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS70-02V-V-G-08

Дел Акција: 174638

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 70V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.
BAS19-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-E3-08

Дел Акција: 165592

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYM11-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-400-E3/96

Дел Акција: 154481

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
BAS21-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-HE3-08

Дел Акција: 108310

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYM10-800-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-800-E3/96

Дел Акција: 191060

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYM10-600-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-600-E3/96

Дел Акција: 119015

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B360B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-E3/5BT

Дел Акција: 164916

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYG24D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-E3/TR

Дел Акција: 162130

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 140ns,

Листа на желби.
B340A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340A-M3/61T

Дел Акција: 143315

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
B120-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B120-E3/61T

Дел Акција: 144292

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 520mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYW82-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW82-TR

Дел Акција: 191605

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 7.5µs,

Листа на желби.
B160-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B160-E3/5AT

Дел Акција: 189351

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYS11-90-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS11-90-E3/TR3

Дел Акција: 136594

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYW178-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW178-TR

Дел Акција: 166134

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.9V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 60ns,

Листа на желби.
BYG20D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR3

Дел Акција: 156933

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
BYT56M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56M-TAP

Дел Акција: 190205

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 100ns,

Листа на желби.
B130-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B130-E3/5AT

Дел Акција: 180095

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 520mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYT56M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56M-TR

Дел Акција: 181153

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 100ns,

Листа на желби.
BAQ134-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ134-GS08

Дел Акција: 114583

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BYV28-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-600-TAP

Дел Акција: 141378

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 210ns,

Листа на желби.
BYG21K-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-E3/TR3

Дел Акција: 119683

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 120ns,

Листа на желби.
BYV28-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-200-TAP

Дел Акција: 146611

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.
BYG10YHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHM3_A/I

Дел Акција: 20320

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BAQ34-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ34-GS08

Дел Акција: 163973

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BYG10YHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHE3_A/I

Дел Акција: 20300

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYW86-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW86-TR

Дел Акција: 177974

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 7.5µs,

Листа на желби.
BY255P-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255P-E3/73

Дел Акција: 105347

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.
BAS40-00-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS40-00-E3-08

Дел Акција: 177694

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 40mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.
BAT43WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-E3-08

Дел Акција: 163088

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.
BAT43WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-HE3-08

Дел Акција: 187575

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.