Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
BYWB29-50HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-50HE3/81

Дел Акција: 87429

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWB29-150HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-150HE3/81

Дел Акција: 87459

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWB29-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-200-E3/81

Дел Акција: 90803

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWB29-150-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-150-E3/81

Дел Акција: 90821

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWB29-100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-100-E3/81

Дел Акција: 90760

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWB29-50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-50-E3/81

Дел Акција: 90748

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYV29B-300HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29B-300HE3/81

Дел Акција: 92419

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYV29B-400HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29B-400HE3/81

Дел Акција: 92396

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYV29F-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29F-400-E3/45

Дел Акција: 100496

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYV29F-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29F-400HE3/45

Дел Акција: 100466

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYV29F-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29F-300HE3/45

Дел Акција: 100467

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYV29F-300-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29F-300-E3/45

Дел Акција: 100477

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAT54WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-E3-08

Дел Акција: 166758

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.
BYV29B-400-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29B-400-E3/81

Дел Акција: 103796

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYV29B-300-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29B-300-E3/81

Дел Акција: 103761

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYWF29-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWF29-50HE3/45

Дел Акција: 110759

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWF29-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWF29-200HE3/45

Дел Акција: 110739

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWF29-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWF29-150HE3/45

Дел Акција: 110731

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWB29-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-200HE3/45

Дел Акција: 110790

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWB29-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-150HE3/45

Дел Акција: 110754

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWB29-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-100HE3/45

Дел Акција: 110785

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWF29-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWF29-100HE3/45

Дел Акција: 110727

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWB29-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-50HE3/45

Дел Акција: 110766

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWB29-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-150-E3/45

Дел Акција: 115019

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWB29-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-100-E3/45

Дел Акција: 115027

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWB29-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-50-E3/45

Дел Акција: 114944

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWB29-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-200-E3/45

Дел Акција: 115002

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYV26E-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26E-TR

Дел Акција: 142851

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
BYV29B-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29B-400HE3/45

Дел Акција: 117015

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYV29B-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29B-300HE3/45

Дел Акција: 117033

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYG10M-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR

Дел Акција: 142658

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYWF29-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWF29-100-E3/45

Дел Акција: 123811

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWF29-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWF29-150-E3/45

Дел Акција: 123795

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWF29-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWF29-50-E3/45

Дел Акција: 123859

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYG10Y-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10Y-E3/TR

Дел Акција: 165046

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BAS16WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-E3-08

Дел Акција: 111276

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 75V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 6ns,

Листа на желби.