Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
BYV26C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TR

Дел Акција: 143799

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.
BAT42W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-E3-08

Дел Акција: 163524

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 50mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.
B360B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-E3/52T

Дел Акција: 102416

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BA157-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA157-E3/54

Дел Акција: 114517

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
BYV26DGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26DGP-E3/73

Дел Акција: 159527

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
BA159-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159-E3/54

Дел Акција: 154614

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
BYV27-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-100-TR

Дел Акција: 191875

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.07V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYM10-100-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-100-E3/97

Дел Акција: 106924

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYV26A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26A-TAP

Дел Акција: 183151

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.
BYV27-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TR

Дел Акција: 131464

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 165V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.07V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYG22B-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-E3/TR

Дел Акција: 105305

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BAV202-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV202-GS08

Дел Акција: 193112

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAT81S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT81S-TR

Дел Акција: 123502

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAW76-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW76-TR

Дел Акција: 103779

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 300mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.
BAT42-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42-TR

Дел Акција: 136977

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 50mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.
BYM10-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-400-E3/96

Дел Акција: 161468

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BAV20WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-E3-08

Дел Акција: 178561

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAT43W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-E3-08

Дел Акција: 180896

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.
BAV21WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-HE3-08

Дел Акција: 155591

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
B340A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340A-E3/61T

Дел Акција: 134345

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BAS170WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-E3-08

Дел Акција: 180654

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 70V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAT83S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT83S-TR

Дел Акција: 132524

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAV19-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19-TR

Дел Акција: 178480

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAW75-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW75-TAP

Дел Акција: 106301

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 25V, Тековна - Просечна исправена (Io): 300mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 30mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.
BAS34-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS34-TAP

Дел Акција: 172791

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BYM13-60-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-60-E3/96

Дел Акција: 177919

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYV26E-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26E-TAP

Дел Акција: 148905

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
BYG21M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-E3/TR3

Дел Акција: 196643

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 120ns,

Листа на желби.
BAW76-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW76-TAP

Дел Акција: 181821

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 300mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.
BAT85S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT85S-TAP

Дел Акција: 152235

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.
BYG20J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-E3/TR

Дел Акција: 195021

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
BAS40-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS40-02V-V-G-08

Дел Акција: 119547

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 380mV @ 1mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.
BYV29-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29-400-E3/45

Дел Акција: 147279

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAV20-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20-TR

Дел Акција: 122116

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-100HE3/81

Дел Акција: 87408

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-200HE3/81

Дел Акција: 87472

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.