Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR

Дел Акција: 163646

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25-E3/TR

Дел Акција: 164701

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 25V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200-E3/96

Дел Акција: 120803

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/I

Дел Акција: 32260

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BAV20WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-08

Дел Акција: 152834

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAV20W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-08

Дел Акција: 179080

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAS16D-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-08

Дел Акција: 111335

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 75V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 6ns,

Листа на желби.
BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-E3/TR3

Дел Акција: 106669

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BAV302-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR

Дел Акција: 155089

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BAQ333-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR

Дел Акција: 142318

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAT54W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-08

Дел Акција: 170231

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.
BAS170WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-08

Дел Акција: 136941

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 70V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3_A/H

Дел Акција: 34922

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/H

Дел Акција: 34902

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BA158-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158-E3/54

Дел Акција: 101393

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.
B340LB-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/52T

Дел Акција: 123083

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR

Дел Акција: 116833

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
BYT62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TAP

Дел Акција: 158520

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 2400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 350mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 3.6V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 5µs,

Листа на желби.
BYT54M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TAP

Дел Акција: 193530

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 100ns,

Листа на желби.
BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TR

Дел Акција: 170950

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
BYT52M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TAP

Дел Акција: 122124

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TAP

Дел Акција: 153002

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 600mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 400mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 6ns,

Листа на желби.
BYW36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TR

Дел Акција: 121947

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
BYV26D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TAP

Дел Акција: 187035

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
BY269TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TAP

Дел Акција: 129989

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.
BYV26C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TAP

Дел Акција: 171441

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.
BYW32-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TR

Дел Акција: 152678

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
BYV27-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TAP

Дел Акција: 122331

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.
BYW55-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TAP

Дел Акција: 144972

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BYX86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TAP

Дел Акција: 183532

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.
BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TR

Дел Акција: 134544

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 600mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 400mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 6ns,

Листа на желби.
BYV26B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TAP

Дел Акција: 169957

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.
BYV38-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TAP

Дел Акција: 177773

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 300ns,

Листа на желби.
BYV26D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TR

Дел Акција: 121386

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
BYV27-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TAP

Дел Акција: 139081

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 165V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.07V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
BYV27-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TAP

Дел Акција: 181381

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.07V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.