Transistors - FETs, MOSFETs - Single

NVMFS6B14NLT3G

NVMFS6B14NLT3G

Дел Акција: 93165

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Ta), 55A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
FQB34P10TM-F085P

FQB34P10TM-F085P

Дел Акција: 2361

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 33.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 16.75A, 10V,

Листа на желби.
NTDV20P06LT4G

NTDV20P06LT4G

Дел Акција: 2373

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 7.5A, 5V,

Листа на желби.
NVTFS4823NWFTAG

NVTFS4823NWFTAG

Дел Акција: 142842

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.
NTMFS4834NT1G

NTMFS4834NT1G

Дел Акција: 121684

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Ta), 130A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
SMP3003-DL-1EX

SMP3003-DL-1EX

Дел Акција: 2187

Листа на желби.
SFT1342-E

SFT1342-E

Дел Акција: 2165

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 6A, 10V,

Листа на желби.
FQP13N50C_F105

FQP13N50C_F105

Дел Акција: 2288

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V,

Листа на желби.
FDN5618P_G

FDN5618P_G

Дел Акција: 2239

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.25A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.25A, 10V,

Листа на желби.
CPH6347-TL-HX

CPH6347-TL-HX

Дел Акција: 6304

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 3A, 4.5V,

Листа на желби.
NVMFS6B14NLWFT3G

NVMFS6B14NLWFT3G

Дел Акција: 87463

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Ta), 55A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
NVTFS4823NTWG

NVTFS4823NTWG

Дел Акција: 107041

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.
MVB50P03HDLT4G

MVB50P03HDLT4G

Дел Акција: 2352

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 25A, 5V,

Листа на желби.
FCA47N60F_SN00171

FCA47N60F_SN00171

Дел Акција: 2294

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 47A, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 23.5A, 10V,

Листа на желби.
FDP75N08A

FDP75N08A

Дел Акција: 33909

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37.5A, 10V,

Листа на желби.
NTMFS4C01NT1G

NTMFS4C01NT1G

Дел Акција: 22695

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 47A (Ta), 303A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
FDP050AN06A0

FDP050AN06A0

Дел Акција: 29711

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Ta), 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
NTMFS4C800NT1G

NTMFS4C800NT1G

Дел Акција: 115622

Листа на желби.
NVMFS6B14NT1G

NVMFS6B14NT1G

Дел Акција: 83482

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
NTTFS3A08PZTAG

NTTFS3A08PZTAG

Дел Акција: 126803

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 12A, 4.5V,

Листа на желби.
FQPF5N60C_F105

FQPF5N60C_F105

Дел Акција: 2252

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V,

Листа на желби.
NVMFS6B03NLT1G

NVMFS6B03NLT1G

Дел Акција: 19366

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
NTMFS5H600NLT1G

NTMFS5H600NLT1G

Дел Акција: 28857

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 35A (Ta), 250A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
NVMFS5C612NLWFAFT1G

NVMFS5C612NLWFAFT1G

Дел Акција: 41288

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 38A (Ta), 250A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
FDB8030L

FDB8030L

Дел Акција: 23411

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
FQP65N06

FQP65N06

Дел Акција: 31606

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 65A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 32.5A, 10V,

Листа на желби.
FQD3P50TM-F085

FQD3P50TM-F085

Дел Акција: 2427

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.1A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 Ohm @ 1.05A, 10V,

Листа на желби.
NTB45N06LT4G

NTB45N06LT4G

Дел Акција: 78846

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 45A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 22.5A, 5V,

Листа на желби.
NTRV4101PT1G

NTRV4101PT1G

Дел Акција: 129335

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

Листа на желби.
NVMFS6B75NLWFT1G

NVMFS6B75NLWFT1G

Дел Акција: 126874

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7A (Ta), 28A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.
NVMFS6B25NLWFT3G

NVMFS6B25NLWFT3G

Дел Акција: 119271

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Ta), 33A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
NVTFS5C454NLWFTAG

NVTFS5C454NLWFTAG

Дел Акција: 6482

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 85A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
NVMFS5C404NLWFT1G

NVMFS5C404NLWFT1G

Дел Акција: 42273

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 49A (Ta), 352A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
NTMFS4946NT1G

NTMFS4946NT1G

Дел Акција: 180947

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12.7A (Ta), 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
FQB27P06TM

FQB27P06TM

Дел Акција: 85946

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 27A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13.5A, 10V,

Листа на желби.
MCH6337-TL-E

MCH6337-TL-E

Дел Акција: 2175

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 3A, 4.5V,

Листа на желби.