Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Arrays

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Arrays
HERF1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1005G C0G

Дел Акција: 147

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR10100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10100CT C0G

Дел Акција: 113

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

Дел Акција: 157

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR20200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

Дел Акција: 152

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.23V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRF2090 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2090 C0G

Дел Акција: 130

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR30L60CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L60CT C0G

Дел Акција: 87

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF2035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2035CT C0G

Дел Акција: 75

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF30L45CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30L45CT C0G

Дел Акција: 69

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 740mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF2550CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2550CTHC0G

Дел Акција: 130

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 12.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF10150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10150CTHC0G

Дел Акција: 80

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF30150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30150CT C0G

Дел Акција: 69

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
HERF1604G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1604G C0G

Дел Акција: 160

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF1035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1035CT C0G

Дел Акција: 140

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF1004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1004GHC0G

Дел Акција: 76

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR1035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1035CT C0G

Дел Акција: 99

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MURF1660CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MURF1660CTHC0G

Дел Акција: 115

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF3060CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3060CT C0G

Дел Акција: 159

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF25150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF25150CTHC0G

Дел Акција: 133

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.02V @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF2090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2090CTHC0G

Дел Акција: 133

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRF2090HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2090HC0G

Дел Акција: 151

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF1060CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1060CTHC0G

Дел Акција: 65

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF30100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30100CTHC0G

Дел Акција: 87

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 940mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF3045CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3045CTHC0G

Дел Акција: 90

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 820mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF30100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30100CT C0G

Дел Акција: 101

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 940mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR1620 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1620 C0G

Дел Акција: 119

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UG1006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG1006G C0G

Дел Акција: 73

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR1690 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1690 C0G

Дел Акција: 131

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
HER1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1603G C0G

Дел Акција: 145

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRS2060HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2060HMNG

Дел Акција: 92

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
HER1003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1003G C0G

Дел Акција: 134

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR25100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25100CTHC0G

Дел Акција: 137

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF2545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2545CT C0G

Дел Акција: 77

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 820mV @ 12.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MUR1640CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1640CTHC0G

Дел Акција: 89

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRS1060CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1060CTHMNG

Дел Акција: 164

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR1660HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1660HC0G

Дел Акција: 112

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRS1060 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1060 MNG

Дел Акција: 105

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.