Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Arrays

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Arrays
MBRS1560CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1560CT MNG

Дел Акција: 126

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
HER1601G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1601G C0G

Дел Акција: 82

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRS1050HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1050HMNG

Дел Акција: 72

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR1535CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1535CTHC0G

Дел Акција: 111

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR2535CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2535CTHC0G

Дел Акција: 158

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
HERF1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1007G C0G

Дел Акција: 68

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRS15200CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15200CT-Y MNG

Дел Акција: 112

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF3050CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3050CT C0G

Дел Акција: 86

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRS20200CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20200CT-Y MNG

Дел Акција: 173

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 990mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
HER1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1005G C0G

Дел Акција: 90

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRS10100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS10100 MNG

Дел Акција: 82

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR1535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1535CT C0G

Дел Акција: 114

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRS1090CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1090CTHMNG

Дел Акција: 85

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRF1090 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1090 C0G

Дел Акција: 168

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR2590CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2590CTHC0G

Дел Акција: 126

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR25100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25100CT C0G

Дел Акција: 113

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF10200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10200CTHC0G

Дел Акција: 163

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 980mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR20200PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200PTHC0G

Дел Акција: 83

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.02V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR2060CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2060CT C0G

Дел Акција: 125

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRS10H150CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10H150CT MNG

Дел Акција: 93

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 970mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
HER1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1008G C0G

Дел Акција: 152

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR3040PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3040PT C0G

Дел Акција: 123

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRS16100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100 MNG

Дел Акција: 131

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRS2020HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2020HMNG

Дел Акција: 151

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF15100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15100CTHC0G

Дел Акција: 107

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L120CT C0G

Дел Акција: 138

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRS2560CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2560CTHMNG

Дел Акција: 115

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRF1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1640 C0G

Дел Акција: 119

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRS2535CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2535CT MNG

Дел Акција: 160

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 820mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRS2060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2060CT MNG

Дел Акција: 128

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GP1601HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601HC0G

Дел Акција: 93

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRS1060HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1060HMNG

Дел Акција: 164

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRS2030 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2030 MNG

Дел Акција: 94

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRS1660 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1660 MNG

Дел Акција: 98

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR20100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20100 C0G

Дел Акција: 94

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR20L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L100CTHC0G

Дел Акција: 142

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.