Diodes - Rectifiers - Single | Discrete Semiconductor Products | 100

1N6478-E3/96

Дел Акција: 156019

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4934GP-E3/54

Дел Акција: 108931

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GP-E3/54

Дел Акција: 113775

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GP-E3/73

Дел Акција: 139136

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GP-E3/73

Дел Акција: 168269

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007E-E3/53

Дел Акција: 151807

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5817-E3/73

Дел Акција: 143012

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6480-E3/96

Дел Акција: 147151

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6482-E3/96

Дел Акција: 162533

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6483-E3/96

Дел Акција: 179529

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5822-E3/54

Дел Акција: 102981

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 525mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5624-TR

Дел Акција: 158953

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 7.5µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5625-TAP

Дел Акција: 129540

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 7.5µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5408-E3/73

Дел Акција: 169345

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5402-E3/73

Дел Акција: 180343

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5404-E3/73

Дел Акција: 170168

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5400-E3/54

Дел Акција: 144551

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5819-E3/73

Дел Акција: 103666

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5406-E3/73

Дел Акција: 121205

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5401-E3/73

Дел Акција: 149135

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4936GP-E3/73

Дел Акција: 117728

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5407-E3/73

Дел Акција: 108901

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPE-E3/91

Дел Акција: 190964

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPE-E3/91

Дел Акција: 126552

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5625-TR

Дел Акција: 170965

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5626-TAP

Дел Акција: 142723

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 7.5µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5059TR

Дел Акција: 184446

Тип на диода: Avalanche, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.15V @ 2.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4150W-E3-18

Дел Акција: 131065

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937GP-E3/54

Дел Акција: 142421

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4006E-E3/54

Дел Акција: 129981

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5395-E3/54

Дел Акција: 164738

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4936GP-E3/54

Дел Акција: 127308

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4935-E3/54

Дел Акција: 129076

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937-E3/54

Дел Акција: 104059

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937-E3/73

Дел Акција: 159056

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4448WS-HE3-08

Дел Акција: 174024

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 75V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 5mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.