Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
1N3957GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3957GPHE3/73

Дел Акција: 857

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.
1N3613GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3613GPHE3/73

Дел Акција: 822

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.
1N3612GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3612GPHE3/73

Дел Акција: 854

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.
1N3611GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3611GPHE3/73

Дел Акција: 850

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.
1N5401-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5401-E3/54

Дел Акција: 139162

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5403-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5403-E3/54

Дел Акција: 199841

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5822-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5822-E3/73

Дел Акција: 165662

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 525mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4002GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GP-M3/73

Дел Акција: 436

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4004GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPEHE3/54

Дел Акција: 5073

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.
1N3085
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3085

Дел Акција: 5526

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5401/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5401/54

Дел Акција: 418

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5819-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5819-E3/51

Дел Акција: 342

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5822-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5822-E3/51

Дел Акција: 354

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 525mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5408-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5408-E3/51

Дел Акција: 377

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5818-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5818-E3/1

Дел Акција: 349

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5407-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5407-E3/51

Дел Акција: 383

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5406-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5406-E3/51

Дел Акција: 354

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5404-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5404-E3/51

Дел Акција: 352

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5402-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5402-E3/51

Дел Акција: 330

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
15ETX06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETX06-1

Дел Акција: 247

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 3.2V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 32ns,

Листа на желби.
15ETX06
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETX06

Дел Акција: 207

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 3.2V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 32ns,

Листа на желби.
15ETL06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETL06FP

Дел Акција: 217

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 270ns,

Листа на желби.
15ETL06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETL06-1

Дел Акција: 183

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 270ns,

Листа на желби.
15ETL06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETL06S

Дел Акција: 224

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 270ns,

Листа на желби.
15ETL06
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETL06

Дел Акција: 235

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 270ns,

Листа на желби.
18TQ050
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ050

Дел Акција: 237

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 18A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
10WQ045FN
Vishay Semiconductor Diodes Division

10WQ045FN

Дел Акција: 177

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 630mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
15ETH03S
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH03S

Дел Акција: 213

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 40ns,

Листа на желби.
15ETH03-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH03-1

Дел Акција: 214

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 40ns,

Листа на желби.
15ETH06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH06S

Дел Акција: 170

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.2V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
15ETH06-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH06-1

Дел Акција: 242

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.2V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
15ETH03
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH03

Дел Акција: 234

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 40ns,

Листа на желби.
15ETH06
Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETH06

Дел Акција: 236

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.2V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
129NQ135
Vishay Semiconductor Diodes Division

129NQ135

Дел Акција: 156

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 135V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.07V @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
189NQ135
Vishay Semiconductor Diodes Division

189NQ135

Дел Акција: 162

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 135V, Тековна - Просечна исправена (Io): 180A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.07V @ 180A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
10BQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ030

Дел Акција: 215

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 420mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.