Diodes - Rectifiers - Single | Discrete Semiconductor Products | 100

1N4947GPHE3/73

Дел Акција: 1197

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4384GPHE3/73

Дел Акција: 1148

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4946GPHE3/73

Дел Акција: 1165

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPEHE3/73

Дел Акција: 1209

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5400-E3/51

Дел Акција: 1125

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4948GP/54

Дел Акција: 5197

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETX06FP

Дел Акција: 1116

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 3.2V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 32ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETX06S

Дел Акција: 1053

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 3.2V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 32ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ045STRR

Дел Акција: 1057

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 570mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ035STRL

Дел Акција: 1059

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 18A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ045STRL

Дел Акција: 1030

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 570mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04STRL

Дел Акција: 1014

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF12FP

Дел Акција: 1109

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 310ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF12S

Дел Акција: 1028

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 310ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ040

Дел Акција: 1059

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 180A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 180A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ045

Дел Акција: 1090

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 18A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ060

Дел Акција: 1059

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04S

Дел Акција: 1037

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ045

Дел Акција: 1046

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 760mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5819/54

Дел Акција: 1075

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5817/54

Дел Акција: 982

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4948GP/1

Дел Акција: 1000

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003/54

Дел Акција: 1034

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5627GPHE3/54

Дел Акција: 912

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5626GPHE3/54

Дел Акција: 915

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5624GPHE3/54

Дел Акција: 919

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5625GPHE3/54

Дел Акција: 996

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5621GPHE3/54

Дел Акција: 5104

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 300ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5623GPHE3/54

Дел Акција: 977

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5620GPHE3/54

Дел Акција: 992

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5618GPHE3/54

Дел Акција: 919

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5619GPHE3/54

Дел Акција: 995

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5615GPHE3/54

Дел Акција: 5128

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5617GPHE3/54

Дел Акција: 954

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5399GPHE3/54

Дел Акција: 960

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5614GPHE3/54

Дел Акција: 985

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.