Diodes - Rectifiers - Single | Discrete Semiconductor Products | 100

18TQ045STRR

Дел Акција: 169

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 18A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015STRR

Дел Акција: 117

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 15V, Тековна - Просечна исправена (Io): 19A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 360mV @ 19A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ045STRL

Дел Акција: 144

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 18A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060STRL

Дел Акција: 5027

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060STRR

Дел Акција: 147

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060S

Дел Акција: 148

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060

Дел Акција: 159

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

150LR5A

Дел Акција: 5549

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 471A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

150KSR5

Дел Акција: 95

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 471A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

130HFR80PV

Дел Акција: 101

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 130A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 500A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ045STRL

Дел Акција: 129

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 560mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ045STRR

Дел Акција: 174

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 560mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ035STRL

Дел Акција: 156

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 560mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ035STRR

Дел Акција: 95

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 560mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRR

Дел Акција: 171

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 570mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

Дел Акција: 82

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 570mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

Дел Акција: 173

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 10A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

Дел Акција: 98

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 10A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

Дел Акција: 157

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 10A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

Дел Акција: 94

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 10A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

Дел Акција: 76

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 310ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

Дел Акција: 99

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 310ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

Дел Акција: 161

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 310ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

Дел Акција: 131

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 310ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

Дел Акција: 5088

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

Дел Акција: 145

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

Дел Акција: 152

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

Дел Акција: 153

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

Дел Акција: 112

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

Дел Акција: 160

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 18A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

Дел Акција: 71

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 760mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

Дел Акција: 130

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 760mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

Дел Акција: 112

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 180A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 180A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

Дел Акција: 135

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 180A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 180A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

Дел Акција: 74

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 180A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 510mV @ 180A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

Дел Акција: 104

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 180A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 180A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.