Diodes - Rectifiers - Single | Discrete Semiconductor Products | 100

1N4005GPEHE3/53

Дел Акција: 1941

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPHM3/73

Дел Акција: 1936

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GP-M3/73

Дел Акција: 5247

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPHM3/73

Дел Акција: 1932

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPE-M3/73

Дел Акција: 1927

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPEHE3/91

Дел Акција: 1899

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPEHE3/93

Дел Акција: 1895

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPE-E3/93

Дел Акција: 130021

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003GP-M3/73

Дел Акција: 1879

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPE-E3/91

Дел Акција: 168244

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPEHE3/91

Дел Акција: 1920

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPEHE3/91

Дел Акција: 1917

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GP-M3/73

Дел Акција: 1879

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3611GP-M3/73

Дел Акција: 1884

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPHE3/54

Дел Акција: 1939

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4148WSFL-G3-08

Дел Акција: 1885

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 75V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4148WFL-G3-08

Дел Акција: 1855

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 75V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5626GP-E3/54

Дел Акција: 1621

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5620GPHE3/73

Дел Акција: 1693

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5624GP-E3/54

Дел Акција: 5181

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5614GP-E3/54

Дел Акција: 5214

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5627GP-E3/54

Дел Акција: 1543

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5625GP-E3/54

Дел Акција: 1550

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 5µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5622GP-E3/54

Дел Акција: 1606

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5618GP-E3/54

Дел Акција: 1547

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4448-A

Дел Акција: 1348

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 75V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4249GP-M3/54

Дел Акција: 1322

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GP-M3/54

Дел Акција: 1314

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5627GP-E3/73

Дел Акција: 1303

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4947GPHM3/73

Дел Акција: 1277

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPHM3/73

Дел Акција: 5206

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPHE3/53

Дел Акција: 1279

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003GPEHE3/53

Дел Акција: 1330

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4942GPHE3/54

Дел Акција: 1220

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937GPHE3/54

Дел Акција: 1159

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPEHE3/54

Дел Акција: 1156

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2µs,

Листа на желби.