Transistors - FETs, MOSFETs - Single

FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

Дел Акција: 109054

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 380mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 190mA, 10V,

Листа на желби.
FDB86563-F085

FDB86563-F085

Дел Акција: 38

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 110A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
NTR4501NST1G

NTR4501NST1G

Дел Акција: 198427

Листа на желби.
FDP032N08-F102

FDP032N08-F102

Дел Акција: 63

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.
NTD110N02RST4G

NTD110N02RST4G

Дел Акција: 144150

Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V,

Листа на желби.
NVD5C434NT4G

NVD5C434NT4G

Дел Акција: 63318

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 163A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
CPH3348-TL-W

CPH3348-TL-W

Дел Акција: 142286

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 12V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Листа на желби.
CPH3461-TL-W

CPH3461-TL-W

Дел Акција: 106325

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 170mA, 4.5V,

Листа на желби.
FDWS86068-F085

FDWS86068-F085

Дел Акција: 134

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
FCPF260N60E

FCPF260N60E

Дел Акција: 29554

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 7.5A, 10V,

Листа на желби.
FQA55N25

FQA55N25

Дел Акција: 10600

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 55A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 27.5A, 10V,

Листа на желби.
FDD6N50TM

FDD6N50TM

Дел Акција: 123

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V,

Листа на желби.
FDD2572

FDD2572

Дел Акција: 36308

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Ta), 29A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 9A, 10V,

Листа на желби.
MCH6421-TL-E

MCH6421-TL-E

Дел Акција: 115932

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 2A, 4.5V,

Листа на желби.
FDD8796

FDD8796

Дел Акција: 114453

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 35A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V,

Листа на желби.
FDD850N10L

FDD850N10L

Дел Акција: 192152

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15.7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.
NTK3139PT5G

NTK3139PT5G

Дел Акција: 117188

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 660mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 780mA, 4.5V,

Листа на желби.
FDMS7656AS

FDMS7656AS

Дел Акција: 115982

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 31A (Ta), 49A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
FDS3512

FDS3512

Дел Акција: 72904

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4A, 10V,

Листа на желби.
NVMFS5A140PLZT1G

NVMFS5A140PLZT1G

Дел Акција: 66

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Ta), 140A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
NVD5C632NLT4G

NVD5C632NLT4G

Дел Акција: 82395

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 29A (Ta), 155A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
FQB8N60CTM

FQB8N60CTM

Дел Акција: 77622

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V,

Листа на желби.
NTNS3A67PZT5G

NTNS3A67PZT5G

Дел Акција: 195283

Листа на желби.
FQA90N15-F109

FQA90N15-F109

Дел Акција: 90

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 90A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 45A, 10V,

Листа на желби.
FDB28N30TM

FDB28N30TM

Дел Акција: 30261

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 28A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129 mOhm @ 14A, 10V,

Листа на желби.
NTMFS4H013NFT1G

NTMFS4H013NFT1G

Дел Акција: 24440

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 43A (Ta), 269A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
NTD3055-094T4G

NTD3055-094T4G

Дел Акција: 194962

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 6A, 10V,

Листа на желби.
FDD3N40TM

FDD3N40TM

Дел Акција: 155381

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1A, 10V,

Листа на желби.
FDPF6N60ZUT

FDPF6N60ZUT

Дел Акција: 95777

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.25A, 10V,

Листа на желби.
FDB3632-F085

FDB3632-F085

Дел Акција: 120

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
NTGS4111PT1G

NTGS4111PT1G

Дел Акција: 104539

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 10V,

Листа на желби.
NTHD4P02FT1G

NTHD4P02FT1G

Дел Акција: 151617

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.2A (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V,

Листа на желби.
FQD16N25CTM

FQD16N25CTM

Дел Акција: 156326

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 16A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8A, 10V,

Листа на желби.
FDD86252

FDD86252

Дел Акција: 169864

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Ta), 27A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.
FDMS86580-F085

FDMS86580-F085

Дел Акција: 88

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
NVLUS4C12NTAG

NVLUS4C12NTAG

Дел Акција: 115215

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 9A, 10V,

Листа на желби.